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题号-一一二二二-三四 题号 -一一 二二二 -三 四 五 六 七 八 九 十 总分 阅卷人 得分 一、单选题：（20分，每题2分） D.暗电阻与亮电阻差值小 ）。 D .额定功率 ）。 D .无极性 r ：上R，则直流 电压源半桥差动电桥的相对非线性误差为（ 金陵科技学院考试卷 200 6 2007 学年第2学期 机电学院 系（院）05级 电气 专业 课程 传感器原理及应用 课程编号 （A、闭）卷 姓名 学号 得分  C.暗电阻与亮电阻差值大 下面属于金属应变片参数的有（ A .额定电压 B .机械滞后 C.允许工作电流 具有压电效应的晶体一般都具有什么特性的晶体内部结构（ A .有对称中心 B .无对称中心 C.有极性 应变计的测量线路中，直流电压源单臂电桥的相对非线性误差为 C.灵敏度D. C. 灵敏度 D. 时间常数 C. 温度 D. 压力 ）。 C. —50 ?150C D. —50?650C r MR 10.霍尔效应中，霍尔电势与（ ）。 A .霍尔常数成正比 B.霍尔常数成反比 C.霍尔元件的厚度成正比 D .霍尔元件的厚度成反比 二、填空题：（27分，其中16、仃题每空2分，其余的每空1分） 1?属于传感器动态特性参数的是（ ） A .重复性 B.线性度 通常用热电阻测量（ ）。 A .电阻 B.扭矩 我国目前使用的铜热电阻，其测量范围是（ A . - 200?150°C B. 0?150C 一个热电偶产生的热电势为Eo,当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根 金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势 （ ）。 A .增加 B.减小 C .不能确定 D .不变 利用热电偶测温时，只有在（ ）条件下才能进行。 A .分别保持热电偶两端温度恒定 B .保持热电偶两端温差恒定 C.保持热电偶冷端温度恒定 D .保持热电偶热端温度恒定 光敏电阻的性能好、灵敏度高，是指给定电压下（ ）。 A .暗电阻大 B.亮电阻大  传感器基本上都应用在测量与 系统中。 传感器的静态参数有：测量范围、线性度、 、重复性、灵敏度、 温度稳定性。 传感器的灵敏度是指稳态标准条件下， 变化量与 变 化量的比值 电阻型温度传感器主要有金属热电阻式和 式两大类；而对于热电阻 温度计的测量电路采用精度较高的 电路。 热敏电阻的时间常数是表征热敏电阻 大小的参数。 热电偶的平均温度测量电路通常势将几只同型号的热电偶 在一起；而其若干 点温度之和的测量电路是将若干个同类型的热电偶 在一起。 当两种不同导体材料组成热电偶时，若两端点温度相同，则 电势大小相 等方向相反，总的热电动势为零。 对于外光电效应传感器组成的光电发射检测装置， 若入射光子的能量人丫小于人丫 o （丫 o为产生光电发射的极限频率，丫为入射光的频率），光强增强时，光电流 。 形成光电倍增管暗电流的主要原因是：欧姆漏电、 、反馈效应、_ 以及其他因素。 与暗电导的比值称为相对光电导。 温度升高时，光敏电阻的最大灵敏度波长向 （提示：填长或短）波长方向移动。 金属应变计由 、基底、覆盖层、粘结剂和引出线组成。 dP 半导体材料的电阻率的相对变化率与应力成正比，即 *二二T，式中n为材料的 ;半导体材料的电阻变化率等于 的相对变化率。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，在它的长度方向两端面上有两根引线，称 为 引线，通常用红色导线；在薄片的另两侧断面的中间以点的 形式对称地焊有两根 引线，通常用绿色导线。 半导体材料的载流子迁移率 卩越 （提示：填大或小），或者半导体片厚度d 越 （提示：填大或小），则该半导体霍尔元件的乘积灵敏度 Kh就越高。 某位移传感器在位移变化1mm时，输出电阻变化有10Q，则其灵敏度为 。 在半导体应变片电桥电路中，其一桥臂为半导体应变片，其余的均为固体电阻， 电阻受到4300卩应变作用。若该电桥测量应变时的非线性误差为 1%， n二只2 =1，则该应变片的系数为 R1 三、简答题（共5小题，第1题6分，第2题4分，第3题4分，第4题5分，第5题3分， 共22分） 1. （1）什么是热敏电阻的标称电阻值？ （ 2分） （2） 什么是热敏电阻的电阻温度系数？ （ 2分） （3） 什么是热敏电阻的额定功率？（ 2分） 第 页 总 页 2. （1）什么是光敏电阻的光电灵敏度？ （ 2分） （2）什么是光敏电阻的积分灵敏度？ （ 2分） 3.对于金属应变片来讲：（1）什么是蠕变？ （ 2分） （2）什么是零点漂移？ （ 2分） 4.对于压电传感器来讲，其电容值为Ca，若在其等效电路中考虑前置放大器的输入电 阻Ri，输入电容Ci，以及电缆电容Cc和传感器的漏电阻Ra时，试画出这个压电元件