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模拟集成电路版图器件与互连  器件  MOS管  电阻  电容  电感  三极管  互连  金属（第一层金属，第二层金属……）  通孔 MOS 晶体管 MOS 晶体管  MOS 晶体管 --最基本的有源元件 --在CMOS工艺中，有PMOS和NMOS两种 --可用做跨导元件，开关，有源电阻，MOS 电容 NMOS工艺层立体图 MOS 晶体管电特性（1）  MOS 晶体管的电特性 MOS 晶体管是用栅电压控制源、漏电流的器件，重要的 公式是I-V方程： W  1 2  I D Cox  (V GS V th)V DS  V DS  n L  2   在物理版图中，只要一条多晶硅跨过一个有源区就形成 了一个MOS晶体管，将其D，G，S，B四端用连线引出 即可与电路中其它元件连接。 MOS 晶体管电特性（2 ） W  1 2  I D Cox  (V GS V th)V DS  V DS  n L  2  – VDS是源漏端电压, VGS是栅源端电压,Vth是阈值电压。 –μ是表面迁移率，属于硅材料参数，Cox是栅氧层单位面积电容，属于工艺参数。 – W,L分别是MOSFET 的沟道宽度和长度，属于物理参数。 – 管子的最小沟道长度Lmin标志着工艺的水平——特征尺寸，如0.35um， 0.18um 。W/L衡量管子的大小，在L确定后，W越大则管子越大，导电能力 越强，等效电阻越小。 NMOS 晶体管（1）  NMOS 晶体管的 版图和结构 D G B S NMOS晶体管符号 NMOS 晶体管（2 ） 1) NMOS管  以SMIC，CMOS，N单阱工艺为例  NMOS管，做在P衬底上，沟道为P型， 源漏为N型 2) 包括层次：  SN，N+注入  AA ，有源区 NMOS版图  Poly，栅  M1，金属  CT，过孔 3) 可设置参数为NMOS管的宽 （W ）、长（L）和叉指数（finger ） 4) 在设计时候作为PCELL （参数化单 元）使用，可调整W和L得到不同尺寸 的NMOS PMOS 晶体管（1）  PMOS 晶体管的版图和结构 S G B D PMOS晶体管符号 PMOS 晶体管（2 ） 1) PMOS管  以SMIC，CMOS，N单阱工艺为例  P