资料6：器件匹配.pdfVIP

器件匹配  概述  指状交叉法  共质心法  虚拟器件  MOS 晶体管匹配  电阻匹配  电容匹配  差分线布线  器件匹配总则 概述 器件匹配概述  采用一些方法，使得某一器件的响应能完全符合并跟踪另一个器件的 变化，这称为匹配。 采用特定结构以获得一个确定不变化比值的器件被称为匹配器件。  模拟电路的性能和精度很大程度上取决于匹配。  相比之下，数字电路的版图对于器件之间的匹配没有什么要求。 器件失配的原因  随机失配：尺寸、掺杂、氧化层厚度以及其他影响元件值的参数等。 随机失配不可完全消除，但可通过适当地选择元件值和器件尺寸减 小影响。  系统失配：工艺偏差、接触电阻、不均匀的电流、相互扩散作用、机械 应力、温度梯度等。 设计匹配元件的一个主要目的是使它们对不同的系统误差源不敏感。 匹配原则 • 当集成电路产业刚刚起步的时候,制造工业仍然相对落后。即使你 将两个需要匹配的器件放的很近, 我们也仍然无法保证它们的一 致性。 现在虽然制造工艺越来越精确,但是随着工艺进入纳米级 阶段, 匹配问题显得日益突出和重要。 • 匹配分为横向匹配、纵向匹配和中心匹配。实现匹配有三个要点 需要考虑: 需要匹配的器件彼此靠近 注意周围器件 保持匹配器件方向一致 遵守这 3条基本原则, 相对可以实现较好的实现匹配。 指状交叉法 指状交叉法 （1） （interdigitating device ） 首先介绍几个概念。如图所示，如果A 、B电阻要进行很好的匹配，它们要做指状 交叉匹配。 我们可以将两组电阻如图指状交叉排列，就像我们十指交叉握在一起一样。 指状交叉遵循了匹配原则之一，即器件相互靠近并且方向一致。 如此排列完后，用上下行走的蛇形线把所有的A连接起来，然后以相同的方式连 接B，当然A 、B连接用不同的金属层。 两组电阻指状交叉排列 将其指状交叉匹配 指状交叉部件的布线 指状交叉法 （2 ） MOS的指状交叉和电阻的类似。 A 、B分别代表两个需要匹配的MOS管，在左图中A管的对称轴是绿线所示，B管的 对称轴如黑线所示，两管的对称轴并不重合，匹配性欠佳。 而右图中A 、B两管沿中轴成完整的轴对称图形，匹配性较好。 A B A B A B B A 共质心法 共质心法  把器件围绕一个公共的中心点放置称为共质心布置，甚至把器件在一条 直线上对称放置也可以看作共质心技术。  现有的集成工艺中, 共质心技术可以降低热梯度或工艺存在的线性梯度。  热梯度是由芯片上面的一个发热点产生的,它会引起其周围器件的电 气特性发生变化。离发热点远的器件要比离发热点近的器件影响要 小。共质心技术使热的梯度影响在器件之间的分布比较均衡。 共质心法– 四方交叉 （cross quading ） • 四方交叉法是将需要匹配的两个器件一分为二, 交叉放置, 尤其适用于两个 MOS器件。 • 采用四方交叉法可以进一步发挥共心的技术优势。 • 成对角线放置的两半必须总是形成一个通过中心点的单个 器件才是真正的四方交叉，一个或者四个器件不能进行四 方交叉。 A/2 B/2 B/2 A/2 四方交叉– 晶体管（1） 将需要四方交叉的管子合并，合并成如图所示的结构。 这样既可以做到很好的匹配，同时可以节省面积。 四方交叉– 晶体管（2 ） 四方交叉不仅可以做成如左图所示的结构，同时可以进一步做匹配，得到如右图 所示的结构。这样匹配性更好些，但是连线相对比较复杂。 对于晶体管，要合理合并漏、源极，从而减小面积。 四方交叉– 电阻（电容） • 下面再介绍一种四个需要匹配的电阻(或电容阵列) 的设计方法, 也同样是采用共