资料5：寄生参数.pdfVIP

寄生参数  概述  寄生电容  线电阻压降（IR drop ）  寄生电感  连线寄生模型  MOS管寄生效应 概述 寄生参数概述 集成电路是由工艺层构成的。一些金属 层在另一些金属层之上走线，一些晶体管挨 着其他晶体管。每当这样进入两种不同的材 料，就会产生额外的电容。这好像有意在整 个电路的各处放许多小电容似的，这些小电 容就是寄生电容。 同样，一个集成电路通过导线、注入以 及各种各样的材料来传送电流，无论电流流 到哪里，都要经过传送材料的电阻。这些电 阻就是寄生电阻。 寄生参数是我们不希望出现而又不能避 免的参数。它会减慢电路的速度，改变电路 的频率响应或引起其他一些不希望出现的效 应。 三种主要的寄生参数——寄生电容、寄 生电阻、寄生电感（射频电路中考虑）。 寄生电容 寄生电容（1） • 导线之间（同层/不同层）、导线与衬底之间都存在平面 电容； 上层导线到下层导线、下层导线到衬底之间存在边缘电 容。 0.5微米 0.5微米 P衬底 寄生电容（2）  由于尺寸很小，因此这些寄生参数的值也很小。 对电容不敏感的电路，不必担心；  不管是CMOS还是双极型，只要涉及高频，寄生就会成为 问题。 忽略寄生参数会毁掉你的芯片 导线尽可能短 减少寄生电容的方法： 采用寄生电容最低的金属层 绕过电路走线 减少寄生电容的方法- 选择金属层（1） • 起主要作用的电容通常是导线与衬底间的电容。 • 如下图，寄生参数可以把电路1的噪声通过衬底（衬底是一 个低阻的层）耦合到电路2，所以要设法使所有的噪声都远 离衬底。 噪声 安静 电路1 电路2 P- 减少寄生电容的方法- 选择金属层（2） • 可以通过改变金属层来获得较小的至衬底的电容，通常最高金 属层所形成的电容总是最小的。 • 另外值得注意的是并不是所有工艺的最高层金属与衬底产生的 寄生电容都最小,它还与金属层的宽度等其它因素有关。有些 工艺中或许是 M4对地的电容要比 M2的对地电容大,所以我们 不能只凭直觉来判断, 一定要通过具体的计算来确认。 Metal M1 M2 M3 M4 Min. Width 0.8 0.8 2.4 6.5 Cap/Unit Area 5 3 2.5 1.5 2 (fF/um ) Cap 10um wire 减少寄生电容的方法- 选择金属层（3） • 现代工艺都支持六层或者更多金属层。 • 底层金属：一般比较薄，而且易于优化集成度。 中间层金属：相对厚一些，寄生电阻较小些。 顶层金属：最厚，可以用来作需要低寄生电阻的电源网 络或者要求速度较高