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设计规则
概述
工艺库中各类器件的层信息
设计规则细则
工业标准的基本数据格式
1
概述
2
概述
目的：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度的
偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高电
路制备的成品率。
定义：考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平
（包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等）和成品率要求，
给出一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主
要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积、密度等规则，
分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一
些不良物理效应的出现。
3
工艺库中各类器件的层信息
4
PMOS 晶体管版图
以SMIC 0.18um 1p6m 混合信号工艺为例
NW：N阱
AA ：有源区
GT：多晶硅
SN：N注入
SP：P注入
CT：通孔
M1：金属1 （第一层金属）
5
NMOS 晶体管版图
AA ：有源区
GT：多晶硅
SN：N注入
SP：P注入
CT：通孔
M1：金属1 （第一层金属）
6
电阻版图 （rppo，Silicide P+ Poly ）
GT：多晶硅
SP：P注入
CT：通孔
RESP1：电阻标识层（不会生成掩模版）
M1：金属1 （第一层金属）
7
电阻版图 （rpposab，Non-Silicide P+ Poly ）
GT：多晶硅
SP：P注入
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