模拟电路-4-3半导体场效应管.pptVIP

20XX年复习资料;4.3 半导体场效应管; 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 ;4.3.1 结型场效应管; (1) 栅源电压对沟道的控制作用（uDS =0）; (2) 漏源电压对沟道的控制作用;(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 N沟道结型场效应管的特性曲线 动画（2-6） 动画（2-7）; 结型场效应管的缺点：;1、三极管的主要参数及电路模型 ;2、场效应三极管 （1）分类、符号 结构： 参与导电的载流子;（2）结型场效应管的工作原理 ;（3）N沟道结型场效应管的特性曲线 ;;一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的 绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为 衬底，用符号B表示。; 当栅极加有电压时，若 0＜uGS＜UGS(th)时，通过栅极和 衬底间的电容作用，将靠近栅极 下方的P型半导体中的空穴向下 方排斥，出现了一薄层负离子的 耗尽层。耗尽层中的少子将向表 层运动，但数量有限，不足以形 成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能形成漏极电流iD。; uGS对漏极电流的控制关系可用 iD=f(uGS)?uDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线; uGS对漏极电流的控制特性——转移特性曲线 ;②漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用; 漏极输出特性曲线; 2.N沟道耗尽型MOSFET;3.特性曲线;4.3.3 场效应管的主要参数和电路模型; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。;2.电路模型;附录 场效应三极管的型号;几种常用的场效应三极管的主要参数见表02.02。;半导体三极管图片;半导体三极管图片;;;第4章 总结;3、二极管 （1）二极管的伏安特性 （a）正向特性 开启电压Uth 、导通电压UD(on) （b）反向特性 反向饱和电流 Is （c）击穿特性 击穿电压UBR （2）二极管的开关特性 存在反向恢复时间 ;4、二极管的主要参数及电路模型 直流模型：理想模型、恒压降模型、折线模型 交流模型：小信号模型 5、模型分析法应用 整流电路、限幅电路、开关电路 分析方法：断开法 ;6、特殊二极管——稳压二极管 ;二、双极型三极管 1、三极管的结构、分类 工艺特点：发射区高掺杂， 基区低掺杂、宽度窄， 集电区结面积大、掺杂浓度低。 2、三极管的电流分配与控制 ;3、三极管的电流关系 IE =IC+IB 共基极直流电流放大系数： 共发射极直流电流放大系数： 4、三极管的伏安特性 输入特性 ;输出特性曲线 饱和区：发射结正偏、 集电结正偏或零偏 放大区：发射结正偏、 集电结反偏 截止区：发射结反偏或零偏、 集电结反偏;5、三极管的开关特性;6、三极管的主要参数及电路模型 结构→物理模型的方法→混合π型微变等效电路 ↓小信号前提、简化 低频简化π型微变等效电路;三、半导体场效应管 （1）分类 结构：结型场效应管 绝缘栅场效应管（MOSFET） 参与导电的载流子