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《 电子技术基本与实训》课程考试答卷 一. 填空题(请将对的答案填写在试题相应位置上。) 1. 内存储器、高速缓冲存储器、CPU、内、主板、高速缓冲、存取速度 2. 逐次逼近、转换速度 3. 。 4. 1、0 5. 。 6. 两个输入端连在一起、保持、翻转 7. 时钟脉冲控制、同、异、异、时钟脉冲控制、同一时刻 8. 分频、控制、测量、三、6、2 9. 数码、移位、双向、4、8 10. 空翻、钟控RS、电平 11. TTL、左移和右移、保持数据、清除数据 12. 二进、组合、编码、二进、十进、译码、集成、数值比较 13. 随机存取、可编程逻辑、只读存储器ROM、随机存取存储器RAM 14. 1、0 15. 回差、整形、变换、单、单、暂稳、稳、单稳、稳、暂稳、稳 16. 辨别率、绝对精度、非线性度、建立时间等、相对精度、辨别率、转换速度等 17. 参照电压、译码电路、电子开关、运算放大器 18. R-2R T型电阻、R-2R倒T型电阻、权电阻、CMOS、双极型 19. 四舍五入、舍尾取整法 20. 采样、采样、保持、量化、编码 21. 半个周期 22. 寄存、触发、触发、寄存、触发 23. 进位制、数、按位权展开求和 24. 桥式整流、单相半波整流、、 25. 构造简朴、使用元器件少、效率低、输出脉动大、交流成分低 26. 交流成分、电抗元件、输出直流电、电容、电感、RC型、LC型 27. 并联、小功率、串联、大功率 28. 。 29. 电网电压波动、负载、输出电压 30. 串联型稳压电路、并联型稳压电路 31. 简朴、少、不需要调节、比较小 32. 1、置0、置1 33. 基数、位权、基、位权 34. 倒T、R、2R、权电阻、高速电子开关、转换速度 35. 二进、二进制、三位、四位 36. 8、4、2、1、二进制、0～9 37. 原码、反码、补码、补码 38. 分派、结合、互换、反演、非非 39. 开关、双极、单极、双极、单极 40. 图腾、高电平1、低电平0、1、0、高阻 41. TTL、CMOS、CMOS 42. PMOS、NMOS、输入、输出、控制 43. 与、悬空、或、低、高、低、悬空 44. 小、高、好、三端集成稳压器、输入端、输出端、公共端、正电压、负电压 45. 预置、清零 46. 双积分、逐次逼近 47. 数据选取、多路 48. 边沿、主从型JK、维持阻塞D 49. 置0、置1、保持、翻转、1、1 50. T、翻转 51. 二进制、二进制、二进制、同步、异步、加减、加、减、可逆 52. 十进制、四、8421 53. 莫尔、米莱 54. 三态、OC 55. 无效、有效循环体、无效、自启动 56. 1、0 57. 输入缓冲、与阵列、或阵列、输出缓冲、PLA、PAL、GAL 58. 简朴型、复杂型、寄存器型 59. 可编程、固定、可编程、可编程、可编程、固定 60. EPROM、浮置栅 61. 整形、稳态、变换、整形 62. 正反馈、稳定、暂稳态、充放电 63. 延时、定期、稳态、单稳态电路内部定期元件R和C 64. 滞回、强 65. 五、自由电子、空穴、正、三、空穴、自由电子、负 66. 驱动、输出、次态、异、时钟脉冲 67. 单门限比较器、滞回比较器、方波 68. CMOS、8、逐次比较、CMOS、8 69. R×1K、阴、阳、击穿、绝缘老化不通 70. 栅 71. 大、高、可调 72. 电角度、触发延迟角α、移相范畴、导通角θ，0~π 73. 错 74. 静、动、动、直流、交流、大、小 75. 窄、越窄 76. 并、并、并 77. 同相输入、反相输入、微分 78. 越好、不不大于、τ放电=RLC≥（3~5）T/2 79. 滞回 80. 基本不变、约减小一半 81. 线性应用、非线性应用、线性、非线性 82. 250mV、50mV 83. 截止区、截止区、放大区、半个、截止区边沿、多半个 84. NPN、PNP、使两个射极输出器相似、无输出变压器、无输出电容器 85. 电感、电容 86. 5V、1.5A 87. 最小项、相邻、最小项、一位变量 88. 相等、虚短、等于零、虚断 89. 取样环节、基准电压环节、比较放大环节、调节环节 90. 功能真值表、逻辑函数式、状态转换图、时序波形图 91. 发射 、基、集电、发射、集电、发射、基、集电 92. 正反馈和负反馈、电压反馈和电流反馈、串联反馈和并联反馈、直流反馈和交流反馈 93. 稳定放大器放大倍数、减小非线性失真、展宽通频带 94. 虚短、虚断 95. 放大、极限、输出电压、输出电流 96. 推动负载工作 97. 电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路 98. 稳定输出电压 99. 整流、单相半波整流电路、单相全波整流电路、单相桥式整流电路 100. 同相、反