静电放电模式(HBMMMIEC)电路及静电等级 及比较.docx

LED静电击穿原理 以PN结结构为主得ＬＥD,在制造、筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感应影响而产生感应电荷。若得不到及时释放,LEＤ得两个电极上形成得较高电压将直接加上lｅd芯片得PN结两端。 当电压超过LED得最大承受值后,静电电荷将以极短得瞬间(纳秒级别)在LED芯片得两个电极之间进行放电,功率焦耳得热量将使得LED芯片内部得导电层、PN发光层得局部形成高温,高温将会把这些层熔融成小孔,从而造成漏电以及短路得现象。 ＥSD:Ｅlectｒｏstatic Discharge,即就是静电放电,每个从事硬件设计与生产得工程师都必须掌握　ESD 得相关知识、为了定量表征 EＳD 特性,一般将　ＥSD 转化成模型表达方式,EＳＤ 得模型有很多种,下面介绍最常用得三种。 1、HBM:Ｈuｍan　Boｄy HYPERLIＮK ＂ \ｔ ”_blａｎｋ＂ Model,人体模型: 　该模型表征人体带电 ＨYPERLINK ＂” \t _ｂlank＂ 接触器件放电,Rb 为等效人体 HYＰERLINK ”　\t　＂_blank　电阻,Cb 为等效人体 HYPＥRLIＮK ＂＂　＼ｔ　＂_blank 电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件　ＨBＭ　模型得 EＳD 等级、 ? 　 ESＤ人体模型等效电路图及其ESD等级　 2、MM:Mａcｈine Model,机器模型: 　机器模型得等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)就是　 HYPERＬINK ＂” \t　”_blａnk ２00pF,等效电阻为 ０,机器模型与人体模型得差异较大,实际上机器得储电电容变化较大,但为了描述得统一,取 2００ｐＦ。由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件得损害,机器模式远大于人体模型、 ?　 　 EＳＤ机器模型等效电路图及其ESD等级 3、CDM:Charged　 HYPERLIＮK　” ＼t ＂_blａnk＂　Ｄeｖice Moｄeｌ, HYPEＲLINK ” ＼t ”_ｂｌank 充电器件模型: 　　半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)、它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它 HYPERLＩNＫ ＂＂ \t _blank” 绝缘材料(如包装用得塑料袋、传　递用得塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。器件本身作为 HYPＥRＬＩNK ” \ｔ　_blａｎk 电容器得一个极板而存贮电荷。ＣDM　模型就就是基于已带电得器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立得,器件带电模型如下: ? 　 ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级 器件得 EＳD　等级一般按以上三种模型测试,大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件得 ESＤ数据,一般给出得就是 ＨＢM 与 MM。　 IＥC模式 与上面几种模式相似,只就是放电电阻、储能电容规格暗IEC标准,具体如下 MＭ、HBM、ＩＥC放电模式比较