场致发射材料的应用与发展解析.docx

场致发射材料的应用与发展 纪石，021131028，化学系 场致发射材料简介 场致发射材料就是在外加真空电场的作用下会释放出电子的材料。 电子逃离 物体表面受到向内的作用力，即表面势垒。假定材料中的电子分布服从费米 -狄 拉克统计，能量高于费米能级的电子数量几乎为零。 若费米能级低于表面势垒则 没有电子能够逃离物体的表面，费米能级与表面势垒之差值称为功函。 若使电子 逃离表面，一方面可以提高温度以提高费米能级克服功函， 这就是常见的热阴极 技术；另一方面可以外加真空电场，降低表面势垒，就是场致发射技术。 7DOOO - 60000 - 50000 40000 - 30000 - 20000- 图1是某种场发射材料的 发射电流-真空电压曲线［1］。由 图中曲线可看出，当电压在很低 时（＜60V），发射电流几乎为零， 而且存在一个栅压阈值（? 80V）,当外加电压大于这个阈 -佃闻——|——I——|——.——|——I——|——■——r 20 4( $0 vottage(V) 图1某种场发射材料的i-v曲线值时，发射电流急剧升高。栅压阈值随材料的不同而不同，是表征场致发射材料的最重要的物 理参数。几十年来，人们不断的发现与合成新的场致发射材料， 都在追求着更低 的栅压阈值。除此之外，材料的物理化学稳定性，加工方法，成本价格都在考虑 之列。最早最常用的是具有常温抗氧化能力、高熔点的过度元素金属。 场致发射材料的应用 场致发射材料的主要应用方面有平板显示器以及其他需要电子发射器件的 仪器，如电子显微镜等。在平板显示器上的应用甚至是带动了几乎全部的场致发 射材料的研究。在原理上，以场致发射材料代替传统的 CTR技术的热阴极作为 电子发射源，即为场致发射显示器（FED）。 最早进行场致发射显示器（FED）开发的是法国的Pixtech公司，现在技术 已经比较成熟，并且已经投入市场，初步具有一定的市场规模 FED相比较于传统的CTR技术的显示器，具有如下的优点：冷阴极发射, 因而发热量小；低工作电压，因而能耗少；自发光亮度高；平面显示，具有宽视 ZED型号 ZE532M FE532HB E532C PEXXXLP FE85XM 1 ：E85YC 尺寸/cm 13 13 13 12 22 22 亮度/fl 70 150/300 40/75 15/25 75/100/ 40/60 分辨率 320/240 320/240 320/240 1/2VGA VGA VGA 功率 1W 3/6W 3/6W 250/400mW 2/4W 4/8W 颜色 白 绿 彩色 彩色 绿 彩色 工作温度厂C 20 ?+70 -40 ~ +85 ?20 ?+07 -20 ?+70 -20 ?+70 -20?+70 封装尺寸/mm 120 X 100 X 20 120 X 100X 20 130X 120X 35 TBD TBD TBD 商品化时间 1996 1996 1997 1998 1997 1997 表1部分已商品化的FED［2］ 角；响应速度快；可以在很宽的环境温度变化范围下工作，因而可以得到更广泛 的应用［2］。基于如此的优良性能，很多人认为同时拥有 CTR高画质、LCD薄型 低耗双重优点的FED可以成为下一代平板显示技术的主流。很多国家、公司投 入巨额资金进行其核心及相关技术的开发。除前述法国的 Pixtech，韩国的 Samsung以及日本、美国、台湾地区的诸多大型公司都投入了一定的资金进行 研究。Samsung公司也已经推出其产品。但是也有些公司对 FED的前景持观望 甚至是怀疑的态度，例如德州仪器本来参与了 Pixtech的开发计划，后又从其中 撤资。 FED的商品化还面临诸多尚待解决的问题，例如：发射体发射机制的研究； 优化器件参数结构、尤其是阳极电压的设计；真空封装工艺；扩大显示面积，改 善发射稳定性和均匀性；提高寿命、降低制造成本 ［3］。由其实目前最广泛应用 的第一代FED材料，主要为难熔的过度元素金属，虽然技术成熟性能优良，但 是其加工过程涉及到精密光刻、化学刻蚀、薄膜沉积等工艺技术造成高成本，难 以实现大屏幕［4］。因此现在的主要攻关项目在于降低阴极成本，寻找新的发射 体材料和结构，排除精密光刻和刻蚀的高成本工艺。目前实现30至60英寸的大屏幕已成为业界的普遍共识［4］。 场致发射材料研究的历史与新进展 很早人们就发现了场致发射的现象。场致发射的研究最早是金属材料。目前 使用最广的场致发射材料也是金属，主要有钨、钼等，金属钨应用较早、较广。 人们最先想到的是采用钨作为场致发射阴极， 根据灯丝的启示，随着超高真空技 术的发展，钨场致发射的性能不断得到改善。 1954年，从钨尖发射2.5mA直流 电流只能持续5h左右。到了 I960年,发