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第22卷第6期 2003年6月大学物理 COLLEGE PHYSICSVol.22No.6 Jun e.2003 对半导体pn结接触电势的一个讨论 茹国平 （复旦大学微电子学系，上海200433） 摘要:讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性，回答了在半导体物 理学pn结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题 .从热力学第一定 律、金属-（零偏下）时pn结不可能对外输出电压和电流的原因. 关键词:pn结;金属-半导体接触；接触电势； 中图分类号047（）0620010204 1引言 当两种导电类型不同的半导体形成 pn结后（如图 1）,在结附近会形成一个空间电荷区（如图1（a））,由于 其内部载流子浓度远低于中性区的载流子浓度，又称 为耗尽区.在空间电荷区中存在着一个从n区指向p 区的内建电场（又称自建电场），其分布如图1（b）所示. 这样在pn结耗尽层外的两侧会产生一个电势差（电势 分布如图1（c）所示）,称为pn结接触电势差VD.从能 带图上可以看出，这个电势差要阻碍p区（n区）的空穴 （电子）向n区（p区）扩散（如图1（d）所示）,所以qVD 又称为接触势垒，正是由于这个接触势垒的存在才避 免了 pn结中载流子的无止境扩散，因此在零偏下（更准 确地讲应是热平衡时）pn结不会有宏观净电流流过. 初次接触上述物理图像，学生一般觉得很容易理 解，但当半导体物理知识掌握到一定程度时，又会发现 上述物理图像不好理解，学生常常会提这样一个问题： 既然如图1（c）所示热平衡的pn结两侧存在接触电势 差，那么假如用一根导线将pn两端连起来，似乎会有 电流流过，即热平衡pn结会向外输出电流；或者用电 压表接到pn结两端，似乎可以测到电压，即热平衡pn 结会向外输出电压，这显然是不可能的，那么原因是什 么？” TOC \o 1-5 \h \z + + ; I 一 I L _ + + ； I I ―+ + ; I I (a)热平衡pn结示意图 (b)热平衡pn结电场分布 (c)热平衡pn结电势分布 目前的国内外绝大多数半导体物理教科书中均未图 1 收稿日期：2001-12-24 基金项目：上海市教委和上海市教育发展基金会曙光计划资助项目 ），男,复旦大学微电子学系副教授，博士，主要从事微电子专业教学以及微电子薄膜材 料与器件工艺作者简介:茹国平（1968— 技术研究? ? 1994-2010 Chi na Academic Journal Electro nic Publish ng House. All rights reserved. http://www.c nki. net 第6期 茹国平:对半导体pn结接触电势的一个讨论给出 答案.一般半导体物理教科书在叙述半导体 pn结特性时,都给出了如图1所示的热 平衡pn结的物理图像，提出了空间电荷区、耗尽层、内建电场（结电场）、接触电势 差（接触势垒）等概念，并讨论不同材料、不同温度对接触电势差的影响等 ，然后就转 入偏压下的pn结讨论［1?9］.只有少数教科书［10］提及这一问题，但并未具体展开讨 论和细致分析?本文将在对pn结内建电场和接触势垒的形成、金属-半导体接触的 形成等分析的基础上，对这一似是而非的问题给予一个全面的解释? 2分析与讨论 11 型半导体，这个内建电场的方向由金属指向半导体，使金属的电势高于半导体，其大 小等于p型半导体的能带弯曲量；对于n型半导体,这个内建电场的方向由半导体 指向金属，使半导体的电势高于金属，其大小等于 n型半导体的能带弯曲量.仔细看一下,p区与n区的 肖特基势垒内建电场的方向正好与 pn结的内建电场方向相反.因为一个系统处于 热平衡时，它有一个统一的费米能级，因此对于这样一个由金属/p型半导体/n型半 导体/金属构成的系统，它也具有一个统一的费米能级（如图3所示）.故如将两侧的 金属连接起来，就不会有净的电子流动，.换句话， pn-半导体接触电 2.1热力学第一定律解释 题.如图2(a),pn两端测到电势差,过(如图2(b)),则说明回路的电动势不为零.而从热 力学第一定律的角度来看，这种现象是不可能发生的，因为热平衡pn结不会无源地 向外输出能量(电能) (a)用电压表测塔热平衡p门结 (b)用导线将热平衡pn结两端相联 Eq Eq 图3金属/p型半导体/n型半导体/金属 系统的能带图 有人可能会问’若用两种不同的金属导线 A、B连接到pn结两端，会发生什么情 况？”回答还是一样.虽然不同金属的功函数不一样，导线A、B上的电势不同，但如 果把A、B直接接起来或用导线C把A、B连起来，回路中仍不会产生净电流?因为 决定能否对外输出电压或电流的本质是回路中的电动势是否为零 .A、 图2 B两根导线从半导体pn结两端接出来而