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PAGE PAGE # 1 PAGE 1 PAGE # 第六章非平衡载流子 处于热平衡状态的半导体在一定温度下载流子密度是一定的。但在外界作用 下，热平衡状态将被破坏，能带中的载流子数将发生明显改变， 产生非平衡载流 子。在半导体中非平衡载流子具有极其重要的作用， 许多效应都是由它们引起的， 如晶体管电流放大，半导体发光和光电导等都与非平衡载流子密切相关。 在大多数情况下，非平衡载流子都是在半导体的局部区域产生的， 这些载流 子除了在电场作用下作漂移运动外，还要作扩散运动。本章主要讨论非平衡载流 子的运动规律及其产生和复合机理。 § 6-1非平衡载流子的产生和复合 非平衡载流子的产生。若用 no和po分别表示热平衡时的电子和空穴密 度，则当对半导体施加外界作用使之处于非平衡状态时， 半导体中的载流子密度 就不再是no和P0,要比它们多出一部分。比平衡态多出的这部分载流子称过剩 载流子，习惯上也称非平衡载流子。 设想有一块n型半导体，若用光子能量大于其禁带宽度的光照射该半导体，则可将其价带中的电子激发到导带，使导带比热平衡时多出一部分电子 An，价 带多出了一部分空穴Ap,从而有: (6-1)in = n — n (6-1) (6-2) (6-3)in = A (6-3) 式中，n和P分别为非平衡状态下的电子和空穴密度， An称非平衡多子，Ap称 非平衡少子，对于P型半导体则相反。 亦和Ap统称非平衡载流子。图6-1为光 照产生非平衡载流子的示意图。 O O O O O O Ev O O O O O O Ev 图6-1光照产生非平衡我流了示总图 通过光照产生非平衡载流子的方法称光注入，如果非平衡载流子密度远小于 热平衡多子密度则称小注入。虽然小注入对多子密度的影响可以忽略，但是对少 子密度的影响却可以很大。 光注入产生的非平衡载流子可以使半导体的电导率由热平衡时的 ％增加到 CT o +也CT，其中，2称附加电导率或光电导，并有: (6-4)(6-5)△cT = An e?n + A P (6-4) (6-5) 若△ n = Ap，则 通过附加电导率的测量可直接检验非平衡载流子是否存在。 除了光注入外，通过 电注入等其他方法也能产生非平衡载流子。 非平衡载流子的复合与寿命。非平衡载流子是在外界作用下产生的。 外界作用撤除以后，导带中的非平衡电子将回落到价带的空状态中， 使电子和空 穴成对地消失，直到热平衡状态为止，这个过程即为非平衡载流子的复合。 通常把单位时间单位体积内产生的载流子数称为载流子产生率， 而把单位时 非平间单位体积内复合的载流子数称为载流子复合率。 在热平衡情况下，产生率与复 合率相等，使载流子维持一定的密度。当有外界作用时，热平衡状态被破坏，产 生率将大于复合率，产生非平衡载流子，使半导体中载流子数目增多。随着非平 衡载流子数目的增多，复合率不断增大，当复合率增加到与产生率相等时， 衡载流子数目则不再增加，达到稳定值。在外界作用撤除后，复合率将大于产生 率，从而使非平衡载流子逐渐减少，最后恢复到热平衡状态。 非平 实验表明，在只存在体内复合的简单情况下，如果非平衡载流子数目不是太 大，则在单位时间内，由于少子与多子的复合而引起非平衡载流子密度的变化 dAp /dt，与其密度成正比,即有dApdt式中比例系数1/T表示每个非平衡载流子在单位时间内被复合的几率，而 ip/ dAp /dt，与其密度成正比, 即有 dAp dt 式中比例系数1/T表示每个非平衡载流子在单位时间内被复合的几率，而 ip/T =-如 T (6-6) 则是非平衡载流子的复合率。求解(6-6)式可得 △p(t)=心Po ex p T (6-7) 式中，△ Po为t=0时的非平衡载流子密度。上式表明，非平衡载流子密度随时间 按指数规律衰减。T是反映衰减快慢的时间常数，它标志着非平衡载流子在复合 前平均存在的时间，所以通常称其为载流子寿命。寿命是表征半导体材料质量的 主要参数之一。对于种类、纯度和结构完整性不同的半导体， 寿命可在10-2~10-9s 的范围内变化。一般地，Si、Ge容易获得长寿命的样品，T可达毫秒量级，GaAs 的寿命则很短，约为纳秒量级。 三.准费米能级。如前所述，在热平衡情况下，可以用统一的费米能级 Ef 描述半导体中电子在能级之间的分布。 在非平衡情况下，由于有非平衡载流子存 在，不再存在统一的费米能级。此时，处于非平衡态的电子系统和空穴系统可以 定义各自的费米能级，这种费米能级称准费米能级。设电子和空穴的准费米能级 分别为E；和EfP，贝皿子和空穴占据能级的几率fn和fp可写为 1 ；—E - E； ex p +1 KoT (6-8) p exEp—E+1 KoT (6-9) 对于非简并半导体，电