传感器原理及应用第三版解读.ppt

应变相等，而在边缘处最大，在 处为零，故贴片时应避开 处，一般在圆中心处沿切向贴两片，在边缘处沿径向贴两片 。应变片 R 1 R 4 和 R 2 R 3 接在桥路的相对臂内，以提高灵敏度与进行补 偿。 〈四〉应变式加速度传感器 这是种惯性式传感器。把传感器固定在被测试件上，当有加速 度 a 时，悬臂梁受力 方向为 -a 方向，应变片变形，输出电 压（大小与加速度 a 成正比）。 如图： 上一页 下一页 3 r x ? 0 ? r ? ma F ? 返 回 2-2 压阻式传感器 所谓压阻式传感器即利用硅的压阻效应和微电子技术制成的传 感器，它具有灵敏度高、动态响应好、精度高、易于微型化和集成 化等特点。 一、压阻效应 单晶硅材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种 现象称为压阻效应。 对于一细长（条形）半导体材料，其电阻变化 率有： 对于金属可言 d ρ / ρ 较小，可忽略不计：即 而对半导体则不同：因为 （较大，不可忽略） 上一页 下一页 ? ? ? ? ? ? ) 2 1 ( ? ? ? ? ? ? ? d R dR s ds l dl d R dR ? ? ) 2 1 ( ? ? R dR ? ? ?? E p dp ? ? 返 回 则： 通常 远大于 几十倍或上百倍，故可忽略 的影 响 所以半导体的： 其中： π …… 压阻系数 …… 应力 …… 弹性模量 …… 应变 结论： 对于用金属制成的应变片来说，起主要作用的是应变效应； 对于用半导体制成的压阻传感器了说，起主要作用的是压阻效应。 上式表明压阻传感器的工作原理主要是基于压阻效应。对于半 导体单晶硅而言，因是各向异性，取向不同其特性不一样，而取向 是用晶向表示的，所谓晶向即晶面的法线方向，下面介绍晶向，晶 面的表示方法。 上一页 下一页 ? ? ? ? ? ?? ) 2 1 ( ) 2 1 ( ? ? ? ? ? ? E R dR E ? ) 2 1 ( ? ? ) 2 1 ( ? ? ? ? E R dR ? ? E ? 返 回 传感器原理及应用 第二章 应变式传感器 第二章 应变式传感器 2-1 金属应变片式传感器 一、金属丝式应变片 二、金属箔式应变片 三、测量电路 四、应变式传感器 2-2 压阻式传感器 一、压阻效应 二、晶向、晶面的表示方法 三、压阻系数 四、固态压阻器件 上一页 下一页 2-1 金属应变片式传感器 金属应变片式传感器的核心元件是金属应变片，它 可将试件上的应变转化成电阻变化。 它有以下优点 : ① 精度高，测量范围广； ② 频率响应特性好； ③ 结构简单，尺寸小，质量轻； ④ 可在高（低）温、高速、高压、强烈震动、强磁场及核辐射和 化学腐蚀等恶劣条件下正常工作； ⑤ 易于实现小型化、固态化； ⑥ 价格低廉，品种繁多，便于选择。 存在下列缺点： ① 大应变时存在明显非线性 ② 输出信号弱，抗干扰能力差 ③ 测量仅局限于应变片部位，周围情况不能表达 总之，通过一些补偿措施，应变式传感器仍不失为非电量电测 中最常用的敏感器件。 上一页 下一页 返 回 一、金属丝式应变片 〈一〉应变效应 设一根长度 l ，截面积 S ，电阻率为 的金属丝，其电阻 两边取对数： 两边微分： 其中 : —— 截面积相对变化 ( ) 。 根据《材料力学》可知：在材料的弹性范围内，长度方向伸长 时，径向（横向）尺寸缩小，反之也然，关系是泊松比 。 根据实验得如下关系：（电阻率 的相对变化与体积相对变化 有关系） （ C 金属材料某常数，与金属本身特性有关）