PECVD的原理与故障分析.docx

PECVD 的原理与故障分析 摘要薄膜制备工艺在超大规模集成电路技术中有着非 常广泛的应用，按照其成膜方法可分为两大类：物理气相沉 积(PVD)和化学气相沉积(CVD )。等离子增强型化学气相淀 积( PECVD )是化学气相淀积的一种， 其淀积温度低是它最 突出的优点。 PECVD 淀积的薄膜具有优良的电学性能、良 好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，正由于这些优点使 其在超大规模集成电路、 光电器件、 MEMS 等领域具有广泛 的应用。本文简要介绍了 PECVD 工艺的种类、设备结构及 其工艺原理，根据多年对设备维护的经验，介绍了等离子增 强型化学气相淀积 ( PECVD )设备的基本结构， 总结了这类 设备的常见故障及解决措施。 1PECVD 的种类 1.1 射频增强等离子体化学气相淀积( RF-PECVD ) 等离子体化学气相淀积是在低压化学气相淀积的同时，利用 辉光放电等离子对过程施加影响，在衬底上制备出多晶薄膜。 这种方法是日本科尼卡公司在 1994 年提出的，其等离子体 其射频电场的产生方法多采用射频法， 故称为 RF-PECVD 。 其射频电场 采用两种不同的耦合方式，即电感耦合和电容耦合[1] 采用两种不同的耦合方式，即电感耦合和电容耦合 [1]。 1.2 甚高频等离子体化学气相淀积 ( 1.2 甚高频等离子体化学气相淀积 ( VHF-PECVD ) 采用 RF-PECVD技术制备薄膜时， 为了实现低温淀积，必须使用稀释的硅烷作为反应气体， 因此淀积速度有限。 VHF-PECVD RF-PECVD 技术制备薄膜时， 为了实现低温淀积， 必须使用 稀释的硅烷作为反应气体， 因此淀积速度有限 。 VHF-PECVD 技术由于 VHF 激发的等离子体比常规的射频产生的等离子 体电子温度更低、密度更大 [2] ，因而能够大幅度提高薄膜的 淀积速率，在实际应用中获得了更广泛的应用。1.3 淀积速率，在实际应用中获得了更广泛的应用。 1.3 介 质层阻挡放电增强化学气相淀积（ DBD-PECVD ） DBD-PECVD 是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态 气体放电（又称介质阻挡电晕放电或无声放电）。这种放电 气体放电（又称介质阻挡电晕放电或无声放电） 。这种放电 方式兼有辉光放电的大空间均匀放电和电晕放电的高气压 运行特点，正逐渐用于制备硅薄膜中[3]。 运行特点，正逐渐用于制备硅薄膜中 [3]。 1.4 微波电子 回旋共振等离子体增强化学气相淀积（ MWECR-PECVD MWECR-PECVD 是利用电子在微波和磁场中的回旋共振效 应，在真空条件下形成高活性和高密度的等离子体进行气相 化学反应。在低温下形成优质薄膜的技术。这种方法的等离 子体是由电磁波激发而产生，其常用频率为 2450MHz ， 过改变电磁波光子能量可直接改变使气体分解成粒子的能 [4]。量和生存寿命，从而对薄膜的生成和膜表面的处理机制产生 [4]。 2PECVD 设备的基本结构 2.1PECVD 工艺的基本原理 PECVD 技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺 腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉 光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通 入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。其工艺原理示意图如 图 1 所示。 在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散 至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成 电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应，生成 形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式 吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状 物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各 种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排 出。2.2PECVD 设备的基本结构 出。 2.2PECVD 设备的基本结构 PECVD 设备主要 由真空和压力控制系统、淀积系统、气体及流量控制、系统 安全保护系统、计算机控制等部分组成。其设备结构框图如 图 2 所示。 2.2.1 真空和压力控制系统 2.2.1 真空和压力控制系统 真空和压力控制系统包 括机械泵、分子泵、粗抽阀、前级阀、闸板阀、真空计等。 为了减少氮气、氧气以及水蒸气对淀积工艺的影响，真空系 统一般采用干泵和分子泵进行抽气，干泵用于抽低真空，与 常用的机械油泵相比，可以避免油泵中的油气进入真空室污 染基片。在干泵抽到一定压力以下后，打开闸板阀，用分子 泵抽高真空。分子泵的特点是抽本体真空能力强，尤其是除 水蒸汽的能力非常强。2.2.2 淀积系统 淀积系统由射频电源、水冷系统、基片加热装置等组成。它是PECVD 水蒸汽的能力非常强。 2.2.2 淀积系统 淀积系统