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PECVD 的原理与故障分析
摘要薄膜制备工艺在超大规模集成电路技术中有着非
常广泛的应用,按照其成膜方法可分为两大类:物理气相沉 积(PVD)和化学气相沉积(CVD )。等离子增强型化学气相淀 积( PECVD )是化学气相淀积的一种, 其淀积温度低是它最 突出的优点。 PECVD 淀积的薄膜具有优良的电学性能、良 好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性,正由于这些优点使 其在超大规模集成电路、 光电器件、 MEMS 等领域具有广泛 的应用。本文简要介绍了 PECVD 工艺的种类、设备结构及 其工艺原理,根据多年对设备维护的经验,介绍了等离子增 强型化学气相淀积 ( PECVD )设备的基本结构, 总结了这类 设备的常见故障及解决措施。 1PECVD 的种类
1.1 射频增强等离子体化学气相淀积( RF-PECVD )
等离子体化学气相淀积是在低压化学气相淀积的同时,利用 辉光放电等离子对过程施加影响,在衬底上制备出多晶薄膜。
这种方法是日本科尼卡公司在 1994 年提出的,其等离子体
其射频电场的产生方法多采用射频法, 故称为 RF-PECVD 。
其射频电场
采用两种不同的耦合方式,即电感耦合和电容耦合[1]
采用两种不同的耦合方式,即电感耦合和电容耦合
[1]。
1.2 甚高频等离子体化学气相淀积 (
1.2 甚高频等离子体化学气相淀积 ( VHF-PECVD
) 采用
RF-PECVD技术制备薄膜时, 为了实现低温淀积,必须使用稀释的硅烷作为反应气体, 因此淀积速度有限。 VHF-PECVD
RF-PECVD
技术制备薄膜时, 为了实现低温淀积,
必须使用
稀释的硅烷作为反应气体, 因此淀积速度有限
。 VHF-PECVD
技术由于 VHF 激发的等离子体比常规的射频产生的等离子
体电子温度更低、密度更大 [2] ,因而能够大幅度提高薄膜的
淀积速率,在实际应用中获得了更广泛的应用。1.3
淀积速率,在实际应用中获得了更广泛的应用。
1.3 介
质层阻挡放电增强化学气相淀积( DBD-PECVD )
DBD-PECVD 是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态
气体放电(又称介质阻挡电晕放电或无声放电)。这种放电
气体放电(又称介质阻挡电晕放电或无声放电)
。这种放电
方式兼有辉光放电的大空间均匀放电和电晕放电的高气压
运行特点,正逐渐用于制备硅薄膜中[3]。
运行特点,正逐渐用于制备硅薄膜中
[3]。
1.4 微波电子
回旋共振等离子体增强化学气相淀积( MWECR-PECVD
MWECR-PECVD 是利用电子在微波和磁场中的回旋共振效 应,在真空条件下形成高活性和高密度的等离子体进行气相 化学反应。在低温下形成优质薄膜的技术。这种方法的等离 子体是由电磁波激发而产生,其常用频率为 2450MHz , 过改变电磁波光子能量可直接改变使气体分解成粒子的能
[4]。量和生存寿命,从而对薄膜的生成和膜表面的处理机制产生
[4]。
2PECVD 设备的基本结构
2.1PECVD 工艺的基本原理
PECVD 技术是在低气压下,利用低温等离子体在工艺
腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电,利用辉 光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通 入适量的工艺气体,这些气体经一系列化学反应和等离子体反应,最终在样品表面形成固态薄膜。其工艺原理示意图如 图 1 所示。
在反应过程中,反应气体从进气口进入炉腔,逐渐扩散
至样品表面,在射频源激发的电场作用下,反应气体分解成 电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应,生成 形成膜的初始成分和副反应物,这些生成物以化学键的形式 吸附到样品表面,生成固态膜的晶核,晶核逐渐生长成岛状 物,岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中,各
种副产物从膜的表面逐渐脱离,在真空泵的作用下从出口排
出。2.2PECVD 设备的基本结构
出。
2.2PECVD 设备的基本结构
PECVD 设备主要
由真空和压力控制系统、淀积系统、气体及流量控制、系统 安全保护系统、计算机控制等部分组成。其设备结构框图如
图 2 所示。
2.2.1 真空和压力控制系统
2.2.1 真空和压力控制系统
真空和压力控制系统包
括机械泵、分子泵、粗抽阀、前级阀、闸板阀、真空计等。
为了减少氮气、氧气以及水蒸气对淀积工艺的影响,真空系 统一般采用干泵和分子泵进行抽气,干泵用于抽低真空,与 常用的机械油泵相比,可以避免油泵中的油气进入真空室污 染基片。在干泵抽到一定压力以下后,打开闸板阀,用分子
泵抽高真空。分子泵的特点是抽本体真空能力强,尤其是除
水蒸汽的能力非常强。2.2.2 淀积系统 淀积系统由射频电源、水冷系统、基片加热装置等组成。它是PECVD
水蒸汽的能力非常强。
2.2.2 淀积系统 淀积系统
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