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MOSFET管的应用研究 摘要SiC是一种新型的功率器件，来近几年广泛的 运用于高温高频开关工作，相关的研究工作进展十分迅猛。 笔者主要研究MOSFET管的特性以及参数，并通过能够适应 宽范围温度的仿真模型进行模拟，对 MOSFET单管的应用进 行研究，分析了 MOSFET对驱动电路的要求。最后根据 MOSFET的工作原理进行应用分析，列举若干 MOSFET管的 常见应用。 关键词】 MOSFET 碳化硅 驱动电路 模型 半导体材料在电子行业占据着重要地位，广泛运用于工 业、医疗等领域。随着科学技术的进步，以及对工作频率的 要求的不断提升，MOSFET的问世为解决更高功率等级问题 Si提供新思路。MOSFET得到了广泛的关注，并逐渐形成了 Si MOSFET和SiC MOSFET两种主要形式。由于后者相比前者 导通电阻更低，高温稳定性能更强，应用前景更加广泛，所 以笔者在本文主要就 SiC MOSFET展开分析。 1 MOSFET结构及原理 MOSFET的原意是：MOS( Metal Oxide Semiconductor 金 属氧化物半导体），FET Field Effect Transistor场效应晶体管）， 即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。相比传统的Si MOSFET SiC MOSFET有更多优点，但是高昂的价格是限制其广泛运用 的关键因素。近年来 SiC技术得到了飞速的发展，生产成本 不断降低，因此也加大了 Sic MOSFET勺应用前景，有望成为 主流的功率器件。在实际运用中，必须对 MOSFET的静态特 性和功率损耗进行模拟研究，这样才能完整、科学地评价整 个系统。目前国内外相关工作人员针对 MOSFET的建模已经 有了很多成果，但是基本都是进行的物理特性建模，对于实 际运用的研究价值不高。 MOSFET对驱动电路有较高的要求， 安全阈值十分小，因此这也是限制MOSFET 安全阈值十分小，因此这也是限制 MOSFET广泛运用的重要 原因。 目前投入应用的 MOSFET主要分为结型以及绝缘栅型， 后者的MOS型是应用热点，我们简称其为功率 MOSFET功 率MOSFET的主要特点是能够利用栅极电压对漏极电流进行 控制，驱动电路结构比较简单，所需的驱动功率不大，开关 速度响应快，工作频率高，但是缺点是电流容量较小，耐压 P 沟道性能不佳。MOSFET根据导电沟道进行分类可以分为 以及 N 沟道。 根据栅极电压幅值进行划分可以分为耗尽型和 增强型。功率MOSFET多采用N沟道增强型。MOSFET有 个工作区：非饱和区（可变电阻区） 、饱和区（恒流区）和 截止区。当MOSFET导通时，仅一种多子用于导电，则是单 极型晶体管，MOSFT几乎都采用垂直导电的结构，故而也常称作VMOSFET MOSFET P 沟道 正电源，栅源极间的电压为 0。栅极是绝缘的，因此无栅极 电流通过。但是栅极正电压将把 P区里的空穴推开。 2 建模方法研究 以往研究MOSFET时多采用的建模方法主要是物理模型 法和等效电路法。前者根据固体物理理论，以半导体方程式 的形式描述MOSFET的物理性质，然而此种方法计算量巨大， 运用于工程实际效果不佳。等效电路法以 MOSFET的外特性 作为研究对象，以电路的形式对器件进行简化，因而可以以 基本单元对外特性进行描述，此类方法有较多经验公式可以 于此建模方法的模拟软件。 使用，对于工程实际运用有更高的效率，其中PSp ice 使用，对于工程实际运用有更高的效率，其中 PSp ice就是基 PS pice软件中的Model Editor模块极大地简化了 MOSFET 建模过程，Model Editor给用户提供3种MOS模型，即MOS1、 MOS2和MOS3。MOS1最为简单直观，参数设定十分清晰， 学习成本较低，但是这种模型忽略了电荷储存效应，仿真精 度较低。 MOS2 模型相比 MOS1 则将短沟道效应考虑在内， 以几何图形作为分析对象搭建模型，对电荷储存效应也有 定的分析作用。MOS3则是基于本经验模型的，运算量有了 很大的简化，通常所需的外特性曲线参数提取法都运用到此 种模型。MOSFET建模通常需要参数微调， 提高模型适用性。 MOSFET静态特性模型主要由单元 M1、提二极管、导通 电阻以及温控电压源电流源组成。为了提高模型的精度，笔 者并没有采用体二极管的参数，而是用独立的二极管模型对 极管进行描述。根据技术手册可以获得转移特性曲线，然 KP。后 Model Editor KP。 MOSFET动态特性模型主要是为了得到其开关特性，该 特性主要由寄生电容确定。 MOSFET管的寄生电容与电压是 非线性的函数关系，不影响建模精度的情况下