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MEMS 谐振器的创新目前，时钟和频率控制产品已成为每个电了器件必备 的核心器件。看一下我们身边的各种设备就知道了：在数字 电视中有4-7个时钟器件；摄像机中有4?6个时钟器件；汽 车中则有 15-35 个这样的器件； DVD 刻录机叫有 2-4 个时钟 器件；在几乎人手一个的便携式媒体播放器中，也有2-4 个时钟器件在工作。而调研公司 器件；在几乎人手一个的便携式媒体播放器中，也有 2-4 个 时钟器件在工作 。而调研公司 In-Stat 预计，未来，时钟 和频率控制器件将走进手机中，这无疑会进一步扩大谐振器 的市场空问，并吸引谐振器厂商加快对该领域的技术研发与 创新。 SiTime 是推动谐振技术的厂商之一，它的 MEMS 皆振 器通过在晶圆表面下掩埋外延层密封多晶硅技术来实现密 闭，并与驱动电路一起，经过划片，浇铸成标准塑料封装集 成电路。岂是推动谐振器革新的工具之一。 目前，全球石英晶体振荡器市场年规模为 30 亿美元， 每年生产 90 亿个石英晶体振荡器。今天，工程师可以在多 种方案中进行选择。因为石英振荡器面临着新工艺的挑战： 未来，石英市场上超过 90％的产品都将被 MEMS First 艺的 硅机械式谐振器所替代，这要归功于 MEMS 器件的极小尺 寸、成本降低、易用性、便于集成及可靠性。 MEMS First 晶片照片所示。 基于 SiRes、 MEMS First 工艺以及 EpiSeal 封装技术， SiTime 提供超小体积的振荡器、谐振器，以及不含石英的、 完整的时钟解决方案。通过使用标准的 CMOS 和封装工艺， 改善振荡器和谐振器的可靠性、成本以及产品的可用性。 般说来，在同样的裸晶片尺寸上，非集成的石英 MEMS 器件成本最低，非集成的 CMOS 器件成本次之，集 成了 MEMS 和 CMOS 上艺的器件成本最高。相比而言， 集成的器件具有以下优势：在裸晶片尺寸大于 3mm 时成本 较低；由于 MEMS 器件的研发并没有维系在 MEMS 工艺的 研发之上，因此， MEMS 器件具有更快的研发周期；无需等 待 MEMS 和模拟 IP 就可以采用最先进的 CMOS 工艺；当新 的 CMOS 工艺或新的 MEMS 工艺可用的时候，可立即升级 时钟性能。同样，集成的器件具有非集成器件所不具备的优 势：在裸晶片尺寸不大于 3mm 时具有更低的成本；在同样 的几何尺寸下，具有比非集成器件更低的功耗；同时，尺寸 也更加纤巧。 这种情况下，如何快速设计出灵活的谐振器，成为谐振 器厂商面临的挑战。所要解决的问题关键是谐振器的温度滞 后和抗老化问题。对于 MEMS 谐振器来说， 30 多年来，温 度滞后一直在困扰着谐振器的设计师们。很难制造出超级洁 净的谐振器， 而任何污染都会导致谐振器的频率改变。 例如， 谐振器内部空腔中的水蒸汽会改变谐振器在 0C左右时的频 率。污染材料使晶振在极端温度下浓缩蒸发，使晶振在起振 和关断时产生频率迟滞现象，而且品振本身对最近工作状态 有记忆效应。采用小型封装的普通石英切割晶振的典型迟滞 MEMS-First是0.1?I.Oppm。为了对付污染，有时会使用特殊的化学药 品，这种方法所需费用高昂。对 SiTime 来说， 工艺和 EpiSeal 封装允许硅谐振器封装于工业标准的低成本 塑料封装，并解决了维持洁净真空的问题．实际上消除了空 腔污染物和老化现象，减轻了温度补偿和漂移的复杂性。因 此，温度滞后是根本不存在的。 超洁净的 MEMS 谐振器在整 个温度范围内的固有迟滞在以下。 MEMS-First SiTime 干净的谐振腔和谐振材料使谐振器的误差极小。 MEMS 谐振器和石英谐振器均含有三个频率误差项， 测量的 总频率误差以 ppm 表示。 此三项误差是初始频率偏移、 温度 系数和老化。抗老化能力能够衡量一个谐振器经过一段时间 之后频率发生改变的程度。石英品振与老化相关的频率漂移 由晶振本身的机械特性变化引起。采用小型表面贴封装的石 英晶振第一年的老化典型值为 -5ppm，采用大型装的石英晶 振的老化典型值为-1ppm。大部分的漂移出现在第一周，特 染的谐振器老化很快，或者需要特殊的化学处理来吸收污染 物和特殊的工艺，这些都会使成本变得昂贵。 SiThne 封装之 后的谐振器 25 年的老化速度通常是每年 0.150ppb。 MEMS 别是在升温的情况下。年的老化效应通常在 别是在升温的情况下。 年的老化效应通常在 lOppm。被污 谐振器一年的漂移小于 1ppm。在SiTime公司的测试结果表 明，MEMS谐振器两星期的升温下漂移小于 0.05ppm。这些 测量是未经过预退火或预老化情况下得到的。优越的测试结 果归功于高度清洁的谐振腔和稳定性高的高温退火谐振器 材