《纳米材料与技术》第2章纳米材料学.ppt

* 由于量子限域效应，纳米半导体材料的能带结构靠近导带底形成一些激子能级，从而容易产生激子吸收带。激子带的吸收系数随粒径的减小而增加，即出现激子吸收峰并蓝移 * 超晶格一般是由两种材料薄层交替生长而成的,由窄带隙材料构成电子和空穴的势阱,而由宽带隙材料构成势垒。 * 左图A显示用电子衍射成像方法得到的AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱的高分辨照片，可清楚看出6nm厚的GaAs层由27层原子组成，图B，表示化学成分控制的精度，在1～２个原子层内Al的浓度由0%（GaAs层内）变到40%（AlGaAs层内） * 一般金属 都对可见光呈较强的反射和一定的吸收，所以具有不同颜色的光泽，这表明它们对可见光范围内各种波长的光的反射和吸收能力不同。。利用纳米材料对光强吸收的特性可制成高效光热、光电转换材料，可高效地将太阳能转化为热、电能。 一般金属 都对可见光呈较强的反射和一定的吸收，所以具有不同颜色的光泽，这表明它们对可见光范围内各种波长的光的反射和吸收能力不同，利用纳米材料对光强吸收的特性可制成高效光热、光电转换材料，可高效地将太阳能转化为热、电能。 * 将微 米 级 的Y203:Eu3+粉体与纳米级的Y203:Eu‘3＋粉体进行对比性发射光谱测试，结果如左图所示，可以清楚地看出，发射光谱发生了明显的蓝移。利用蓝移现象，可以设计出波段可控的新型光吸收材料。半导体纳米微粒谱线的蓝移, 可以扩展半导体光电子材料应用的波谱范围, 如发光二极管, 具有高效率、低能耗、单色性好等特性, 但1994 年前, 高效率的激光二极管的发射波长大致处于红- 黄波段, 波长约在700～ 555nm。为了提高激光光盘的存储密度, 增加光纤通信量, 提高激光打印的清晰度, 解决三原色的问题, 并实现大屏幕L ED 的彩色显示, 90 年代后人们重点研究激光源的波长向绿、蓝、紫外短波长波段扩展。 * 　半导体纳米微粒受光激发后产生电子-空穴对(即激子) , 电子与空穴复合的途径有 (1) 电子和空穴直接复合, 产生激子态发光。由于量子尺寸效应的作用, 发射波长随着微粒尺寸的减小向高能方向移动(蓝移)。 (2) 通过表面缺陷态间接复合发光。在纳米微粒的表面存在着许多悬挂键、不饱和键等, 从而形成许多表面缺陷态。微粒受光激发后, 光生载流子以极快的速度受限于表面缺陷态, 产生表面态发光。微粒表面越完好, 表面对载流子的陷获能力越弱, 表面态发光就越弱 。（弱） (3) 通过杂质能级复合发光。（比较强）纳米晶体材料有巨大的比表面以及有序度很低的界面，成为过渡族杂质偏聚的有利条件，这就导致纳米材料能隙中形成杂质能级，产生杂质发光。一般来说，杂质发光带位于较低的能量位置，发光带比较宽。 这三种情况是相互竞争的。如果微粒表面存在着许多缺陷, 对电子、空穴的俘获能力很强, 一经产生就被其俘获, 它们直接复合的几率很小, 则激子态发光很弱, 甚至可能观察不到, 而只有表面缺陷态发光。要想有效地产生激子态发光, 就要设法制备表面完好的纳米微粒, 或通过表面修饰来减少其表面缺陷, 使电子和空穴能够有效地直接辐射复合。 * 许多诸如氧化钛、硫化镉等纳米材料在一定的条件下均能表现出光致发光现象。 * 硅是重要的微电子材料,具 有 良 好的半导体性质但却不发光，使它无法成为光电子材料，如能发强光则有利于制备光电子集成电路,多孔硅的发光实际上是由于纳米微粒的量子尺寸效应所确定的, 它意味着人们可以控制硅微粒的尺寸, 改变其能级达到产生一定波长光波的目的。如将硅置于Y 型沸石的超笼中, 1.3nm 的纳米硅微粒, 在室温条件下可以发出橙- 红色的光谱, 而SiC 则可产生蓝光, 此研究仍在进行中。 1994年量子阱GaN 型蓝光二极管问世。所谓量子阱是指超薄的纳米量级薄膜层, 如2～ 5nm , 其厚度小于传导电子 波长, 于是产生空间量子化的效应, 有利于光的增益, 1995～ 1996 年间Ⅲ~Ⅴ族半导体氮化物脉冲与连续蓝光激光二极管相继诞生。 * 1994年R.N.Bharguna等首次报道了纳米ZnS－Mn的发光寿命缩短了五个量级,而外量子效率仍高达18%,预示了纳米发光材料的高发光几率和高发光效率,引起了人们对半导体纳米微晶发光材料的广泛研究。与此同时,稀土或过渡金属离子激活的绝缘体为基质的纳米发光材料也开始受到关注,特别是发现在Eu掺杂的纳米Y2SiO5中猝灭浓度和发光亮度均高于体材料,预示着高发光几率、高发光效率和高掺杂浓度有可能同时存在,而得到性能优异的纳米发光材料,展示 * 如ZnS:Cu纳米晶粒，利用该体系制成的LED器件，室温下可以看到蓝色发光，启辉电压小于4V。 半导体纳米晶粒可以用作电子受体。与聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等共扼聚合物复合时，离域的