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* Huo协同组装机理具有一定的普遍性,能够解释不同的合成体系及其实验结果,并且能在一定程度上指导实验 * HMS分子筛是采用中性模板合成六方相硅基分子筛 * “晶界型”韧化机理 有人认为对改变断裂模式起主要作用的不是晶内纳米相,而是晶界上的纳米粒子,“晶界型”结构强韧化机理: 1、 主晶界被纳米粒子局部强化 纳米相与基质产生良好的结合,纳米粒子有固定晶界、强化晶界的作用。 2 、晶界纳米粒子对裂纹的“钉扎”和偏折作用 由于热膨胀系数和弹性模量不同,基体对晶界上的纳米粒子的径向压应力产生“虎钳”作用,然后在更大的外力作用下使裂纹偏折进入晶内形成穿晶断裂。 3、 晶界纳米粒子形成有利的应力分布 当纳米相的弹性模量大于基质时,纳米粒子周围形成切向压应力,使得朝向纳米粒子扩展的主裂纹尖端远离该粒子所在晶界而向晶内挺进并增加了裂纹扩展路径。 * 根据式(1)和式((2)可知,在第二相颗粒内部将产生一个等静拉应力,而在环绕颗粒的基体中产生一个径向拉应力σr和切向压应力σt,且此两力随R递减,这样裂纹将沿着与σt平行、与σr垂直的方向扩展。若第二相颗粒在某一裂纹面内,则裂纹朝向颗粒扩展时,首先偏离原来的平面到达裂纹平面与σt平行、与σr垂直,并绕颗粒向前扩展。一旦达到过种扩展方向,由于越靠近颗粒拉应力σr越大,裂纹又会朝向颗粒发展而偏转回到颗粒与基体的界面,形成如上图所示的裂纹扩展路径。若颗粒在裂纹面的上部或下部,裂纹面将首先偏转达到与σr垂直的方向。可见当αpαm时,由于基体中拉应力σr和压应力σt的共同作用使裂纹在基体中的扩展路径增加,增加了裂纹扩展的阻力,且偏转程度显然比不考虑残余应力场的Faber一Evans模型(增韧值约15%)大很多。只要颗粒与基体之间的界面不致于被产生的径向拉应力σr分离,就能保持这个残余热应力场,裂纹扩展的本身就与界面结合牢固程度无直接关系。从这里的分析可以看出,当αpαm时,同时可以看出增韧效果与第二相颗粒粒径之间的关系,这样,若颗粒粒径与基体粒径相近,则残余应力场引起的裂纹偏转很小,起不到明显的增韧作用,所以为取得较好的增韧效果,一般情况下颗粒的粒径要大于基体的粒径,Nagaok。等对Si3N4 /TiN系统的研究结果证实了这一分析结论。 * 由式(1), (2)可知,在第二相颗粒内部将产生一个等静压应力,而在颗粒周围基体中产生一个径向压应力σr和切向拉应力σt。,此两力随R递减,这时裂纹将沿着与σt垂直、与σr平行的方向扩展.若第二相颗粒在某一裂纹面内,则裂纹朝向颗粒扩展时将首先直接达到颗粒与基体的界面,此时如果外应力不再增加,则裂纹就在此钉扎,这就是裂纹钉扎增韧机理的本质。若外加应力进一步增大,裂纹继续扩展将有两种可能路径:一是穿过颗粒,即第二相颗粒产生穿晶断裂;二是绕颗粒与基体之间的界面扩展,即裂纹偏转。若颗粒在裂纹面的上部或下部,裂纹面将首先偏转达到与σt垂直的方向。究竟裂纹扩展沿哪条途径? 一般来说,p越大,颗粒粒径越小且越接近球形,则裂纹绕过颗粒发展的可能性越大。总之,裂纹在颗粒复合陶瓷中的扩展是一个复杂的过程,包含着大量的微观随机事件,在每一颗粒所处的微观环境及与裂纹面的相对位置都将影响裂纹在颗粒附近的实际扩展路径。 从增韧的角度看,根据前面的分析,要达到较好的增韧效果,必须选用具有较高表面能的第二相颗粒,p要大,两相一界而结分要牢固,比起αpαm时条件更加严格,且裂纹偏转的程度也较小,主要在两相界面偏转,所以增韧效果也较差。但αp<αm时,由于基体中拉应力σt的作用使基体易于穿晶断裂,若同时在基体颗粒内部分布着纳米级的第二相颗粒实现在基体颗粒内的二次裂纹偏转,则也将获得较好的增韧效果,如MgO/SiC复相陶瓷就是这样。较粗的SiC颗粒分布于MgO晶界上,纳米级的SiC颗粒进人MgO晶粒内,使复相陶瓷的断裂模式从纯Mg0的沿晶和穿晶混合型变为完全穿晶型,同时由于MgO晶粒内的SiC颗粒细小,与MgO的界面结合牢固,使裂纹在MgO晶粒内纳米SiC颗粒处易于发生偏转并耗散较大的能量。 * 众所周知,陶瓷材料是具有方向性的离子键和共价键的过渡键型,并且位错密度小,晶界难以滑移,使得陶瓷硬度大,脆性高,普通陶瓷材料在常温下几乎不产生塑性形变,只有当温度达到1000°C以上,由于质点的热运动加速,陶瓷才具有一定的塑性。 * 金属基复合材料(MMCs)的研制和应用已经历了近30年的历程,最初的研制用以解决航天航空部门对特种高性能结构材料的需要,美、日和欧洲国家的国防部门在这方面给予了大力支持,并取得了理想的成果。 与单质的同类金属材料相比,金属基复合材料具有高的比强度、比刚度、比模量、高温性能等,这些
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