《纳米材料与技术》第5章纳米电子学.ppt

* 栅极上加电压VG可控制岛中电子的位能。图上部给出相应的能带图，岛对应于两个势垒间的势阱。如前所述，对于 SET，充电能U起主导作用，即将一电子从源移入岛时必须拥有 U=q2/2C(其中 q为电子电荷，C为岛对周围部分的总电容）的能量，克服岛内电荷对它的作用才有可能。如果电子不具备这个能量 U，则导电过程就不可能发生，这种现象称为库仑阻塞效应。如果通过 VD 为电子提供能量 U，则库仑阻塞消失，导电现象重新恢复。因此随着VD 的增大，便出现了台阶状的I－V特性和振荡波形的G－V特性曲线，如下图 所示。由于发射极中的电子其能量为 EF获取 q2/2C的能量后才可进入势阱，故电子在势阱中的能量必然比EF高出q2/2C的能量。由于发射极中的电子和阱中空穴有吸引作用，故阱中空穴能级比EF 低q2/2C ，因此在势阱中，电子能级和空穴能级差q2/C 。 * * 谐振隧穿器件包括谐振隧穿二极管(RTD)和谐振隧穿晶体管 (RTT) RTD和RTT是研究得最早、最多、最深入、比较成熟的一种固体纳米电子器件。目前在国外已研制出包含 2000个RTD的高速数字电路。在势阱中因量子化出现分立的能级，基态能量为 E0。在不加偏压时， E0高于发射极中的费米能级EF 。 * 在RTD两端加上适当电压,当入射电子能量等于势阱中束缚态的能量时,电子可以无衰减地通过势垒, 产生谐振隧穿,此时电流会急剧增大,随着外部电压不断增大,电流先达到一个局部最大值,该电流称为峰值电流.当入射电子能量大于势阱中束缚态的能量时,穿过势垒的电子数目大大减小,电流急剧下降,表现为负阻效应,电流会达到一个局部最小值,该电流称为谷值电流,从峰值到谷值这一区间为微分负阻区(NDR).然后,由于散射和热电子的影响开始加强,并开始起主要作用,电流又随电压逐渐升高.如图1所示.RTD在负阻区发生谐振隧穿的特性使它成为非常快的非线性电路单元,例如最高振荡频率大于2THz的InP衬底的RTD振荡器已经制造出来在特别条件下,RTD在0.5V时,其开关速度小于2ps,可见RTD的速度是相当快的.RTD为两端器件,虽然谐振隧穿三极管(RTT)也已制造出来,但它的工艺太复杂,现在,应用电路主要是由RTD和HEMT或HBT等组成的集成电路. * 半导体量子点的制备和性质成为当今研究的热点。目前最常用的制备量子点的方法是自组织生长方式 ,它是指具有较大晶格失配度的两种材料依靠自身的应变能力并以 S - K生长模式在衬底表面上形成具有一定结构形状、尺寸大小和密度分布的量子点结构。用自组织生长方式通过分子束外延MBE) 或金属有机物化学汽相沉积(MOCVD) 已成功地生长了无缺陷的 Ⅲ- Ⅴ族、Ⅱ- Ⅵ族、Ⅳ- Ⅳ族的量子点半导体。 如R. P. Andres等人报告了在MoS2基底上的Au原子团阵列，其Au原子团置于十二烷硫醇层中。图(a)是自组装单层Au原子团结构与工艺的说明。将上述样品用STM测量其I-V特性见图b。结果表明存在室温库仑阻塞和库仑台阶现象。 * * 要制备纳米电子器件及实现其集成电路，有两种可能的方式：一种是将现有的电子器件、集成电路进一步向微型化延伸，研究开发更小线宽的加工技术来加工尺寸更小的电子器件，即所谓的“由上到下”的方式。另一种方式是利用先进的纳米技术与纳米结构的量子效应直接构成全新的量子器件和量子结构体系，即所谓的“由下到上”的方式。 * 在这种技术中，通常甲基丙烯酸酯聚合物（PMMA）被用作抗蚀涂层，甲基异丁酮和异丙醇合剂被用作显像剂。 光刻机的光源波长已经从过去的汞灯光源紫外光波段进入到深紫外波段，已可以用波长为193nm的ArF准分子激光作光源获得180nm 的光刻线宽度 。 另外，利用更短波长的极紫外光（波长为10～14nm）和 作为光源的极紫外光刻（EUVL，也称软 X 射线光刻）和X射线（XRL ，1nm）光刻技术 也得到了发展。根据目前光刻技术的发展形势，EUVL将很可能成为大批量生产特征尺寸为70nm及更细线宽集成电路的主流技术。 除此之外，利用光的干涉特性以及电磁理论结合光刻实际对曝光成像的深入分析，采用各种 波前技术优化工艺参数也是提高光刻分辨率的重要手段。 * 在这种技术中，通常甲基丙烯酸酯聚合物（PMMA）被用作光致抗蚀剂（光刻胶），甲基异丁酮和异丙醇合剂被用作显像剂。 刻蚀技术是通过掩模、曝光等工艺将设计的器件图形结构转移到半导体基片上的 加工技术 。采用光刻手段在物体上制作出纳米量级图形的关键是大幅度提高现有光刻技术的分辨力。通常采用的方法有离子束、电子束、极紫外、X射线、深紫外加波前工程、干涉光刻、原子光刻等。 掩模为在多层膜基底下添加重金属形成的反射