受制造业变化影响的测量方法.pdf

环测威官网： / 问： 产品及其制造技术在不断发展。结果是增加了器件功能，但它也降低了产品的静 电放电（ ESD ）耐受电压。是否需要新的测量类型以确保制造过程能够安全地处理这些 产品？ 答： 高科技制造业继续快速发展。在半导体领域，它通过小型器件特征尺寸和更高的 工作速度带来了更高的器件功能。通过增加晶圆尺寸，盈利能力得到改善，今天的 300 毫米晶圆有望在未来十年内被 450 毫米晶圆取代。 在磁盘驱动器中， 我们看到越来越小 的封装中的存储密度越来越高。 新的制造方法与产品的技术变革保持同步。 技术变革使得对产品及其周围的静电荷水平 的控制至关重要。较小的器件几何结构和磁盘驱动器的磁阻（ MR ）磁头需要将静电控 制到非常低的水平。 ESD 协会 ESD 技术路线图深入探讨了推动 ESD 灵敏度未来预测的器件技术趋势。 [1] 一直需要控制制造区域中的颗粒，但较小的装置特征意味着较小的颗粒有可能引起缺 陷，并且它们更容易被吸引到带电表面。制造业自动化程度的提高增加了静电放电引起 设备问题的可能性。同时， 建立静态控制程序以保护对 ESD 敏感的产品。 ESD 标准定义了验证静态控制程序元件 性能的方法，通常确保这些元件的电阻落在指定范围内。遗憾的是，尽管使用了静电控 制方法，但它们并不测量产品或设备上可能存在的残余电荷或电压。增强的测量技术， 环测威官网： / 称为过程风险评估， 进行测量以证明静态控制程序有效地限制了人员， 设备或产品上的 静电荷或电压。它还可以证明静态控制程序已经消除了 ESD 事件的发生。 [2] 过程风险分析表明，在超出设备人体模型（ HBM ）或充电设备模型（ CDM ） ESD 灵敏 度的人员或设备上产生电荷或电压的过程中没有位置。 过程风险分析可以识别制造中可 能存在 ESD 危害的位置。对于 HBM ESD ，它将识别人员处理设备的操作，无论是单 独还是在电路板上，并且可能导致设备放电。对于 CDM ESD 或充电板事件（ CBE ）， 它将识别器件附近的电荷源，以及器件可能接触地并导致放电的位置。 一旦确定了 ESD 危险的位置，就需要对人员或设备上的电荷或电压进行适当的测量。 目前用于测量人体电荷产生的标准 ANSI / ESD STM97.2 使用电荷板监视器作为高阻抗 测量设备。它监控连接到仪器隔离导电板的人员产生的电压。记录并分析电压，以通过 超过所处理器件的 HBM 耐受电压来确定它是否是潜在的 HBM ESD 危险。 [3] 通常，通过使用静电场计确定来自电荷的所得电场，在工作区域中测量电荷的存在。由 于仪表是“距离敏感的”并且在 2.5 厘米（ 1 英寸）校准距离处看到直径约 10 厘米（ 4 英 寸）的区域，因此仅对大型物体有用。对于较小的物体，静电电压表是首选，因为它可 以在更小的距离 （5 mm = 0.2 英寸）进行测量。这两种仪器都用于识别可能产生 ESD 危害的电荷位置。 当前版本的 ANSI / ESD S20.20 包含三种规格，用于工作区域中对象的允许电荷或电 压。 [4] 电场测量值大于 125 伏/英寸的物体必须与敏感产品保持至少 2.5 厘米（ 1 英寸） 的距离。电场测量值大于 2000 伏/英寸的物体必须与敏感产品保持至少 30 厘米（ 12 英 寸）的距离。