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光电显示技术有源矩阵液晶显示器件 　a-si:H的导电性与c-Si有很大差别。主要表现在两个方面：①载流子迁移率小；②载流子浓度低。 a-siTFT的优点： ①漏电流IOFF很小； ②其制备温度低(3000C左右)，可用玻璃作基板，并具有大面积均匀性，易实现大面积彩色显示。 缺点：ION较小，为提高ION ，使a-siTFT尺寸加大，这将减小LCD的开口率。 　将漏、源电极直接作在a-Si:H有源层上，不可能保证完好的欧姆接触。在铝电极和有源层之间夹一层重掺磷的n＋型a-Si:H层，就可保证电极与有源层之间的欧姆接触。 ⑴a-Si的结构和工艺 Si3N4 ①先光刻好透明电极ITO的图形； ②蒸Cr ，并光刻出Cr条，作为栅电极G； ③沉积绝缘层的Si3N4，厚度约为0.25μm。 ④沉积有源层a-Si:H，厚度约为0.2μm ，并将不需要的a-Si:H部分刻蚀掉。 ⑤沉积n＋a-Si:H，并将不要的部分刻蚀掉，只在FET位置上源、漏极处留下n＋a-Si:H 。 ⑥在Si3N4层上刻出接触窗口A，在下一工序中使ITO层与漏极电极D相连； ⑦蒸镀铝层，并光刻出源、漏电极。 ⑵a-SiTFT转移特性 a-SiTFT的输出持性 a-SiTFT的转移持性 ⑶对TFT的要求： ①较高的开关比，一般大于105； ②a-Si的驱动电压小于15V； ③TFT在帧反转驱动下其输出特性要相同； ④TFT的开关速度必须能满足图像显示的要求，即从断态到通态的电流上升要陡。a-Si:H TFT的响应时间为： ⑤合适的导电沟道宽长比W/L。 3、p-Si TFT（poly crystal silicon）方式 　p-Si的电学特性取决于晶粒大小、杂质浓度和晶界局域态密度。其中晶粒尺寸是p-Si的特征因子，影响晶界特性，决定载流子迁移率。所有决定p-Si电学特性的因素都可以通过p-Si成膜工艺来控制。 　与a-Si相比，p-Si的载流子迁移率大2个数量级。p-Si TFT不仅用来驱动液晶像素，还可以用作内部的周边驱动电路。 　p-si TFT制造工艺可分为高温工艺（HTPS）和低温工艺(LTPS )，若在制造过程中的最高温度超过600℃(通常达1000℃以上)，为高温工艺。相反，在600℃以下(含600℃)为低温工艺。 　使a-Si薄膜中的硅粒在高温下再结晶，使晶粒长大到微米以上量级，可得到多晶硅p-si 。 ⑴高温多晶硅 　要求特殊的基片材料．以防止在约1000 ℃处理温度下熔化，通常采用昂贵的石英晶体，所以目前只应用于小于3英寸以下的显示设备中。 其制备方法有激光退火和熔区再结晶法。 ⑵低温多晶硅 制备过程： Si膜形成 Si膜晶化 杂质活化 ⑶CMOS反相器 　CMOS反相器由两种不同沟道类型的MOS管组成。两个MOS管栅级连在一起作为输入端，漏极连在一起作为输出端。 反相器等效电路 　有了反相器，再与n沟道TFT、p沟道TFT组合便可构成各种门电路。在TFT LCD周边电路中，主要使用移位寄存器和缓冲存储器。 4、单晶硅液晶显示(微型硅基液晶显示器LCOS） 　LCOS是硅片上的液晶(liquid crystal on silicon)的英文缩写，也称为硅基液晶显示，是一种直接将液晶显示器件做到单晶硅基片上的液晶显示器件。 优点： ⑴提高了TFT－LCD像素的开口率； 　由于非晶硅、多晶硅的电子迁移率低，场效应管有源器件占用面积大，而LCOS电子迁移率高，其面积可以做得很小，所以开口率可以很高，达96%以上。 ⑵提高了光的利用率； ⑶实现显示多样化； ⑷彩色化方便； 　一般显示器件采用空间混色，而LCOS采用时间混色法。 ⑸外引线少，连接简单，整机安装方便。 非晶硅TFT 低温多晶硅TFT MOSFET 晶格结构 短程有序 掺氢 晶粒间界 完整的晶格 阈值电压 1V 1.2V 0.7V 载流子迁移率 0.5～1 ＞100 ＞250 工作电压 15～25V 5～15V 3.5V 设计规则 5μm 1.5μm 0.25μm 光刻数目 4～5 5～9 22～24 栅氧化层厚度 300nm 80～150nm 7.8nm 显示器件中TFT的特性对比 三、液晶电视 1、电视图像显示对液晶显示屏提出的要求 ①显示屏必须具有大的像素容量； ②必须采用背光源； ③足够的响应速度； ④彩色化； ⑤必须采用有源矩阵驱动； ⑥大视角。 2、TFT矩阵寻址的液晶电视 ⑴TFT液晶屏的结构 Polarizer film TFT Sealant Anisotropic conductor film TAB Connection Control IC Printed circuit board Driver LSI Light diffuser Spacer Waveguid