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2FK210双通道大功率MOSFET驱动模块 2FK210双通道大功率场效应驱动模块专为大功率场效应管设计，采用变压器调制隔离技术，具有自带隔离电源、输出功率大、工作频率高等优点，其最高驱动频率可达1MHz，可运用于 RF 射频驱动。2FK210的输入信号不但兼容5V的TTL电平和15V的COMS电平，还兼容3.3V电平，可直接和DSP等处理器3.3V的I/O口连接，而不需要做电平转换。 2FK210适用于驱动各种300A/1200V以下各种容量的大功率场效应管和IGBT驱动。1.2FK210主要特点：?采用变压器调制隔离技术 ?干扰脉冲抑制技术 ?高电气隔离 ?开关频率从 0-1MHz ?占空比：0....100% ?抗干扰强，dv/dt100,000V/us ?内部集成2?1.5W隔离的DC/DC变换电路 2.2FK210技术指标  3.2FK210外形尺寸及引脚排列 2FK210外形尺寸图（引脚间距：2.54mm,，模块厚度：14.5mm） 2FK210 引脚功能定义表 4.内部结构原理 2FK210大功率场效应驱动模块主要由内部DC/DC变换电路，信号调制电路、信号解调电路以及驱动电路构成。2FK210内部 DC/DC的输出功率为1.5W*2。 2FK210 内部结构示意图 图中LDI为信号调制电路，IGD为信号解调电路。LDI和IGD间采用脉冲脉冲变压器实现信号的传输。 2FK210具有以下特点： 变压器隔离技术：驱动器用采用了变压器调制隔离技术，因此绝缘特性好，响应速度快； 集成DC/DC：模块内部集成了2路1.5W隔离的DC/DC变换器，多个2FK210模块只需共用一个15V电源即可。 5. 应用举例2FK210 是可编程死区的半桥驱动模块。典型运用参考电路如下：典型应用电路1从INA输入占空比为50%的信号，将与INA反向的/INAOUT连接到INB，输出为2路带死区的半桥驱动。 典型应用电路 1 典型应用电路2的两路信号分别从INA和INB输入将与INA，输出为2路带死区的半桥驱动。 典型应用电路 2 如果不需要死区，可以将2FK210驱动模块的TD引脚连接至 GND。如典型应用电路3所示。 典型应用电路 3 6．注意事项驱动功率计算：通过数据手册找到场效应管栅极输入电荷Qg，则需要的驱动MOS管总功率可由公式P=f*Qg*U 简单计算。其中f为场效应管的工作频率，U为驱动电压，等于15V。 布线：布线时注意驱动器尽量靠近功率管，当驱动频率较高时，门极引线长尽量不要超过8cm，且采用紧密双绞线或是直接用印制板连接。 海飞乐技术有限公司 联系人：吴海丽 电话：0755机：157-1205-5037邮箱： tel-sherry@ 地址：广东省深圳市龙华新区民治街道向南四区松花大厦 联系人：朱小飞 电话：0755-2349 0212 手机：136-3295-7632 邮箱： sofeat@ IGBT及MOSFET隔离驱动有哪几种？ 作者：海飞乐技术 时间：2017-04-07 16:09 ? ? IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的，目前也有了许多优秀的驱动集成电路。 　　1、光电耦合器隔离的驱动器 　　光电耦合器的优点是体积小巧，缺点是：A、反应较慢，因而具有较大的延迟时间(高速型光耦一般也大于300ns);B、光电耦合器的输出级需要隔离的辅助电源供电。 　　2、 无源变压器驱动 　　用脉冲变压器隔离驱动绝缘栅功率器件有三种方法：无源、有源和自给电源驱动。无源方法就是用变压器次级的输出直流驱动绝缘栅器件，这种方法很简单也不需要单独的驱动电源。缺点是输出波型失真较大，因为绝缘栅功率器件的栅源电容Cgs一般较大。减小失真的办法是将初级的输入信号改为具有一定功率的大信号，相应脉冲变压器也应取较大体积，但在大功率下，一般仍不令人满意。另一缺点是当占空比变化较大时，输出驱动脉冲的正负幅值变化太大，可能导致工作不正常，因此只适用于占空比变化不大的场合。 　　3、有源变压器驱动 　　有源方法中的变压器只提供隔离的信号，在次级另有整形放大电路来驱动绝缘栅功率器件，当然驱动波形较好，但是需要另外提供单独的辅助电源供给放大器。而辅助电源如果处理不当，可能会引进寄生的干扰。 　　4、调制型自给电源的变压器隔离驱动器 　　采用自给电源技术，只用一个变压器，既省却了辅助电源，又能得到较快的速度，当然是不错的方法。目前自给电源的产生有调制和从分时两种方法。 　　调制技术是比较经典的方法，即对PWM驱动信号进行高频(几个MHZ以上)调制，并