硅基薄膜太阳电池.ppt

目前太阳电池的核心技术是以结晶硅当基材为主的，而商业化的结晶硅厚度约在200um以上。但由于多晶硅原料的严重短缺，除了限制硅基太阳电池的成长幅度之外，却也促进了薄膜型太阳电池的发展。 薄膜型太阳电池具有低生产成本之特性，且具有适于大面积制造之优势。;生产过程;发展情况;应用方面的对比;硅基薄膜电池是未来太阳能主流的原因 1. 能够满足特定市场的需求，并垄断这部分市场 计算器和玩具等弱光市场应用，BIPV建筑一体化的市场应用。 2. 技术本身的特点和优势 低成本，可做成半透明，低污染，低能耗。 3. 技术发展的可持续性 主要的成膜设备与LCD兼容，大大降低了设备研发成本。 CIGS等其他新型薄膜太阳能技术不具备这样的特点。 4. 技术的开放性 成熟的设备供应商就有4家以上，生产厂家更多，技术研发投入非常多。 而同样低成本的CdTe技术由于First Solar一家独大，以及其技术受到原材料的限制等原因，无法得到下游系统应用商的大力支持，研发投入受到限制。;几个概念;多晶硅薄膜太阳电池 多晶硅薄膜太阳能电池是将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳电池的激活层，不仅保持了晶体硅太阳电池的高性能和稳定性，而且材料的用量大幅度下降，明显地降低了电池成本。 多晶硅薄膜太阳电池的工作原理与其它太阳电池一样，是基于太阳光与半导体材料的作用而形成光伏效应。;多晶硅薄膜太阳能电池的研究趋势 效率低是目前多晶硅薄膜太阳能电池所面临的1个主要问题。因此提高廉价衬底上多晶硅薄膜太阳能电池的效率将是今后一个主要研发方向。 实际上，目前几乎所有的制备高效体硅太阳能电池的工艺都用在了薄膜太阳能电池的制备上。由此看来，多晶硅薄膜太阳能电池的效率的提高主要取决于多晶硅薄膜的质量改进。因此，通过采取各种工艺措施在廉价衬底上制备大晶粒、高质量的多晶硅薄膜将依然是今后多晶硅薄膜太阳能电池研发的核心课题。;非晶硅薄膜太阳能电池的优点;低成本 单结非晶硅太阳电池的厚度0.5um。 主要原材料是生产高纯多晶硅过程中使用的硅烷，这种气体，化学工业可大量供应，且十分便宜，制造一瓦非晶硅太阳能电池的原材料本约RMB3.5-4（效率高于6%） 且晶体硅太阳电池的基本厚度为240-270um，相差200多倍，大规模生产需极大量的半导体级，仅硅片的成本就占整个太阳电池成本的65-70%，在中国1瓦晶体硅太阳电池的硅材料成本已上升到RMB22以上。;大面积自动化生产 目前，世界上最大的非晶硅太阳电池是Switzland Unaxis的KAI-1200 PECVD 设备生产的1100mm*1250mm单结晶非晶硅太阳电池，起初是效率高于9%。其稳定输出功率接近80W/片。 商品晶体硅太阳电池还是以156mm*156mm和125mm*125mm为主。 ; 短波响应优于晶体硅太阳电池 ;非晶硅太阳能电池存在的问题;稳定性问题 非晶硅太阳能电池的光致衰减，所谓的W-S效应，是影响其大规模生产的重要因素。目前，柔性基体非晶硅太阳能电池稳定效率已超过10%，已具备作为空间能源的基本条件。 成本问题 非晶硅太阳能电池投资额是晶体硅太阳能电池的5倍左右，因此项目投资有一定的资金壁垒。且，成本回收周期较长，昂贵的设备折旧率是大额回报率的一大瓶颈。 ;非晶硅太阳电池的市场; 与建筑相配合,建造太阳能房 非晶硅太阳能电池可以制成半透明的，如作为建筑的一部分，白天既能发电又能使部分光线透过玻璃进入室内，为室内提供十分柔和的照明(紫外线被滤掉)能挡风雨，又能发电;美国，欧洲和日本的太阳能电池厂家已生产这种非晶硅瓦。;太阳能照明光源 由于非晶硅太阳能电池的技术优势，同样功率的非晶硅太阳能灯具，其照明时间要比晶体硅太阳能路灯的照明时间长20%，而其成本每瓦要低约10元人民币。上海尤利卡公司于2003年-2005年已为松江区的太阳能路灯提供了400多个非晶硅太阳能路灯电源，其冬天的发电效果明显优于晶体硅。 弱光下使用 由于非晶硅太阳能电池在室内弱光下也能发电，已被广泛用于太阳能钟，太阳能手表，太阳能显示牌等不直接受光照等场合下。 ;中国应当抓住的机遇;非晶硅太阳能电池发展趋势;突出特点： 材料和制造工艺成本低。 制作工艺为低温工艺（100-300℃），耗能较低。 易于形成大规模生产能力，生产可全流程自动化。 品种多，用途广。 存在问题：光学带隙为1.7eV→对长波区域不敏感→转换效率低 光致衰退效应:光电效率随着光照时间的延续而衰减 解决途径：制备叠层太阳能电池，即在制备的p-i-n单结太阳能 电池上再沉一个或多个p-i-n子电池制得。;硅薄膜太阳电池的结构及工作原理