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- 2021-05-01 发布于广东
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第10章 导体和电介质中的静电场 P.*/21 第10章 导体和电介质中的静电场 P.*/21 第10章 导体和电介质中的静电场 P.*/21 1. 电位移矢量: 2. 介质中的高斯定理: 在任何静电场中, 通过任意闭合曲面的电位移通量等于该曲面所包围的自由电荷电量的代数和. 真空中: 3. 有电介质时静电场的计算 1) 根据介质中的高斯定理计算出电位移矢量: 2) 根据电场强度与电位移矢量的关系计算场强: 讨论: 1) 介质中的高斯定理有普适性. 2) 电位移矢量是一个辅助量. 3) 反映电场强弱的物理量是电场强度而不是电位移. 4) D 与 q , q? 有关, 但是其通量仅与 q 有关. 5) 特 例: 真空 §10.2 电容和电容器 真空中半径为R, 带电量为 Q 的孤立导体球的电势: R 不变时, 但 = 常数 结论: 导体处于静电平衡时, Q 一定, U 就一定, 导体形状不变, Q/U就不变. Q/U 反映导体容电能力: 电容. 定义: 孤立导体电势每改变1V所需要吸收或释放的电量称作孤立导体的电容, 若其带电, 电容即为 Q 与其电势 U 的比值. 单位: 法拉 F= C·V-1 意义: 反映导体容纳电荷的能力. 与导体本身的形状, 大小和结构有关;与导体是否带电无关. 10.2.2 电容器的电容 电容器: 由电介质隔开的金属薄片组成
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