绝缘功率半导体器件外壳不破裂峰值电流试验方法、热复合浆料厚度测量方法.pdfVIP

GB/T XXXXX—XXXX/ IEC 60747-15：2010 A A 附 录 A （资料性） 外壳不破裂峰值电流试验方法1) A.1 目的 证明包括双极晶体管、IGBT 或MOSFET 在内的绝缘功率器件，作为开关能承受额定外壳不破裂峰 值电流ICNR ，而不会导致外壳破裂（一种“爆炸”）、等离子束发射或大量颗粒喷出。这是破坏性试验。 注：当来自外部源的能量或电流超过规定的限值时，功率器件内部的电弧或蒸汽压力导致其外壳破裂。借助外部电 路电源贮存的能量或电流，在故障功率器件的外壳（封装）中产生电弧或蒸汽压力。器件失效后的封装的临界 电流或能量宜作为一项封装环境特性给出，而且，半导体和其他电气部件也应避免意外爆炸。 A.2 电路图 电路见图A.1 。 图A.1 外壳不破裂峰值电流ICNR 试验电路 A.3 电路描述和要求 A——具有低电感电流探头以监测外壳恰好尚未爆裂时的器件电流ICNR 的电流表； C——电容器组，可充电至全电压； D ——上部T 的反向二极管； 1 1 D ——下部T 的反向二极管； 2 2 G ——能在所有条件下从主电源切断的直流电压源V ； 1 CC GU1——T 的栅极驱动单元； 1 GU2——T 的栅极驱动单元； 2 LLoad——负载电感； 1) 讨论中。 15 GB/T XXXXX—XXXX/ IEC 60747-15：2010 L ——电路的杂散电感（40 nH～250 nH ）； s R ——保护用放电电阻器； C R ——栅极电阻器； G R ——电源内阻； i R ——熔丝电阻器，大多设置为零； S S ——上部辅助开关（IGBT ）； 1 S ——下部辅助开关（IGBT ）； 2 T ——上部IGBT开关（被测器件）； 1 T ——下部IGBT开关； 2 I ——负载电流； L V ——栅极电压。 GE 该试验电路由一个具有两个相同的绝缘IGBT器件的两象限变流器组成。S 和S 为辅助开关 （例如 1 2 IGBT器件），用于建立期望的负载电流并引发短路故障。T 和T 为相同的绝缘IGBT器件（作为单开关 1 2 或半桥电路中的双开关）。 A.4 试验步骤 步骤1 首先，闭合开关S ，开通器件T ，负载电流增加，但受负载电感L 限制。I 超出T 的关断安全 2 1 Load L 1 工作区（SOA ）后，试图关断T