f薄膜的制备方法离子束溅射.pptxVIP

2. 实验设备：离子能量：几十～1500ev3. 优点： ?膜层致密、均匀、减少缺陷 ?提高薄膜性能的稳定性（不易吸附气体 或潮气） ?附着好（界面有膜料粒子渗入） ?可分别独立调节各实验参数、控制生 长，以利研究各条件对膜质量的影响。4. 原因：?沉积前，先离子轰击基片——溅射表面吸附的污染物，表面除气及净化。?薄膜形成初期，离子轰击使部分膜料原子渗入基片表层，在界面形成中间薄层——增强附着，改善应力。?沉积过程中，离子轰击正在形成膜——改善微观结构、膜层更致密。（二）离子束混合1.何谓离子束混合？ 在基片表面先沉积一层（膜厚﹤1000） 或几层（每层小于150）不同物质的膜。（总厚小于 1000） 用高能重离子轰击膜层，使膜与基片表面混 合，或多层膜之间混合，形成新的表面材料 层。2. 对离子束的要求：?离子能量尽量高（200～300keV以上）?较高的惰性气体离子，如Ar＋3. 特点：?获得常规冶金方法得不到新材料。?比离子注入法更经济（三）离子束溅射法用离子源产生的离子束轰击靶表面，把靶表面的靶原子溅射出来沉积在衬底表面四 离子溅射镀膜法（一）.直流二极溅射（二）射频溅射（三）磁控溅射1. 结构原理图2.磁控溅射原理： 把磁控原理和二极溅射法相结合，用磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，受正交电磁场作用的电子，在其能量快耗尽时才落到基片上，大大提高气体的离化率。3.为什么要加磁场？?无磁场溅射方法的缺点：-溅射效率较低，所需要的工作气压较高-溅射方法沉积薄膜的沉积速率较低?磁场的存在将延长电子在等离子体中的运动轨迹, 提高与气体原子碰撞使其电离的几率， 显著提高溅射效率?提高沉积速率, 比其它溅射方法高一个数量级.?降低气压，减少气体污染特点：离化率较高，沉积速率快；基片温升低； 工作气压较低——气体对膜质量影响较小。四. CVD——化学气相沉积法 ——Chemical Vapor Deposition1.什么叫CVD? 把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物气体（适当流量比例）输入反应室，通过加热或等离子体等方法使其分解或反应，而在基片上生长所需薄膜。2. 常规CVD:没等离子增强激活的CVD方法。1 混气室 2转子流量计 3步进电机控制仪 4真空压力表 5不锈钢管喷杆6喷头 7基板 8石墨基座9 石英管反应室 10机械泵 11WZK温控仪 12电阻丝加热源 13保温层陶瓷管 14密封铜套 常压化学相沉积(APCVD)设备的示意图（1）沉积条件?气态反应物（液态或固态使其气化）?反应生成物除所沉积物外，其余应气态，可排出反应室?沉积物的蒸气压应足够低（2）影响沉积质量的因素?沉积温度?气体比例、流量、气压?基片晶体结构、膨胀系数等(3). 优点?在远低于所得材料熔点的温度下获得高熔点材料?便于制备各种单质或化合物?生长速率较高?镀膜绕性好?设备简单缺点：?反应温度比PECVD高?基片温度相对较高3.PECVD(包括RFCVD、MWCVD、ECRCVD) MWCVD结构图（1）PECVD原理： 利用射频、微波方法在反应室形成的离子体的高温及活性，促使反应气体受激、分解、离化,以增强反应，在基片生长薄膜。（2）PECVD优点： ?可在较低温度下生长薄膜——避免高温下晶粒粗大 ?较低气压下制膜——提高膜厚及成分的均匀性。 ?薄膜针孔小，更致密，内应力较小，不易产生裂纹 ?附着力比普遍CVD好。缺点：?生长速率低于普通CVD?设备相对复杂些（3） RFCVD、MWCVD和ECRCVD的区别:? RFCVD——f=13.6MHz? MWCVD ——f=2.45GHz,频率高，气体分解和离化率更高。? ECRCVD——又加有磁场，促使电子回旋运动与微波发生共振现象，有更大的离化率。可获更好的薄膜质量和高的生长速率。4.MOCVD（1）原理： 利用热分解金属有机化合物进行化学反应，气相外延生长薄膜的CVD方法。（2）适合的金属有机化合物: 金属烷基化合物 如：三甲基镓（CH3)3Ga，三甲基铝（CH3)3Al二乙烷基锌（C2H5)2Zn.(2). MOCVD特点 ?沉积温度低 如ZnSe（硒化锌）膜，仅为350℃；而普通CVD法850 ℃ ?低温生长——减少污染（基片、反应室等）提高膜纯度；降低膜内空位密度。（高温生长易产生空位） ?可通过稀释反应气体控制沉积速率，有利于沉积不同成分的极薄膜——制备超晶格薄膜材料。主要缺点： ?许多有机金属化合物蒸气有毒，易燃，需严格防护 ?有的气相中就反应，形成微粒再沉积到基片。第二章 薄膜厚度的测量一、微量天平法1.原理: 高精度微量天平称基片成膜前后的重量，得出给定面积S的厚膜质量m，由下式计算出膜厚： ， 为块材密度2.测量天平精度达微