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中山大学化学与化学工程学院;一、研究背景与目的;较碳纳米管,有序介孔碳CMK-3具有均匀规整、纳米级的孔道结构,巨大的内比表面积、更高的比电容值以及三维网状结构等优点。;本课题预期以有序介孔碳CMK-3为基底负载可见光下可产生光电流的氧化锌纳米化合物,利用碳基可以有效提高半导体材料的光电流强度的性质,合成出性能稳定高效的三维网状的光电转化材料,可用于制备更加新型高效的太阳能电池。 ;二、实验原理;介孔碳与ZnO纳米粒子的复合;这些对太阳能电池的研发有重大意义,尤其是加快光生电荷的分离效率,意味着光电转化效率的提高;CMK-3/ZnO纳米粒子复合物的表征及其分析
复合物的透射电子显微镜
采用的是透射电子显微镜,扫描电压为200KV。;a 中介孔碳由高度规则排列的实心碳柱组成的
c中可以生成的ZnO胶体已经将六边形碳柱间的空隙填满了可以看到CMK-3在合成的ZnO/CMK-3纳米复合物中起着有效控制在碳柱间形成的ZnO的形貌。
d中,可以看到均匀附着在CMK-3碳柱表面的ZnO胶体形貌。ZnO胶体粒径约为4-6nm。;复合物的拉曼光谱
在室温条件下,采用反向散射模式测定其拉曼光谱,激发光源为514.5nm的Ar离子产生的激光。;复合物的X射线粉末衍射
扫描角度从10°到80°,扫描速度为10°/min。如图3-3所示:;图3-3(a)为CMK-3的XRD,出现了三个峰:26.6°、43.8°和52.0°,分别对应与晶面(002)、(101)、(004),基本与文献吻合。(b)则是纯ZnO,分别出现:31.8°(100)、34.2°(002)、36.1°(101)、47.4°(102)、56.6°(110)和62.8°(103),对应与六角纤锌矿结构的氧化锌结构(标准卡片36-1451)。(C)是ZnO/CMK-3复合物的衍射图,由于CMK-3被ZnO全部包覆,。故CMK-3的峰消失了,而使得其衍射峰与ZnO相同。
;复合物的荧光光谱分析
样品的荧光光谱测定在室温下,采用无水乙醇作溶剂,使用波长为320nm的光源作激发光源;370nm发射峰能量为3.35eV,比ZnO的禁带宽度3.37eV,及紫外数据算得的ZnO样品禁带宽度为3.45eV,均稍小, ZnO中存在激子,激子的结合能为60m eV ,完全可以在室温下存在,故紫峰是由ZnO中的自由激子复合而产生的。
图3-4可以明显看到随着nZnO/nCMK-3值的减少,荧光强度明显降低,??ZnO量为零的时候,荧光完全淬灭,这与其ZnO与CMK-3复合形成杂质能级(即费米能级)有关,CMK-3能捕获自由电子,使电子和空穴的复合几率减小甚至中止。
;在538nm的荧光发射峰对应的光子能量为2.30eV,远小于禁带宽度,故此峰的产生应该与禁带的费米能级有关, ZnO中存在氧空位和锌空位,这种晶体结构的本征缺陷在ZnO晶体禁带中产生了费米能级,而这些与费米能级有关的跃迁可能导致绿光的产生。
一般ZnO纳米线的绿峰在510nm左右,而本实验所做的峰位置在538nm,产生了红移,应该与生成的纳米微球尺寸,同时,掺杂了CMK-3的ZnO,由于CMK-3具有捕获自由电子的能力,使得荧光强度产生明显的减弱。;复合物光电流及紫外分析;由图3-5B可看出,在波长为360nm的光(通过紫外-可见光谱的吸收峰确定)激发下,ZnO/CMK-3纳米复合物的短路电流和光电转换效率从单纯ZnO的1.41μA和4.0%增加到4.01μA和13.9%。虽然我们在光电转换效率上并没有取得显著的改变,但这些提高说明介孔碳能对半导体的光反应活性产生积极的影响,提高材料的电荷富集和转移能力。;;ZnO+hν→ZnO(eCB+hVB)→ZnO+ hν’ (1)
ZnO(eCB+hVB) →ZnO(et+ht) →ZnO+ hν’’ (2)
存在两种复合方式分别对应了荧光光谱上的两个发射峰,由于激子的存在,故短波的发射峰能量并不是与禁带的带隙能量严格相等,而是与其相比略小,称之为激子辐射,在我们实验过程中,对应的发射峰即为370nm;据早期的研究,ZnO晶体中存在本征缺陷,分别为氧空位和锌空位,其中氧空位构成施主能级,锌空位构成受主能级,它们的能级差远小于禁带宽度,对应与我们实验的发射峰应为长波峰,即538nm的峰。
;图3-7所示的是ZnO/CMK-3复合物光电转换的电子跃迁过程,由于CMK-3具有捕获自由电子的能力,ZnO受光激发后,产生的光电子从价带顶跃迁到导带底,
复合后,在禁带区域内形成费米能级EF,电子会从导带底返回到费米能级形成光电流,
由于复合的几率减少,故能量以光子的形式放出也会减少,所以理论上荧光强度会减小,
同时,介孔结构也有利于光电子的富集和定向移动,预期其光电转换效率
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