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电子信息材料发展现状与展望;一、前言;二、市场;目前国际上6英寸GaAs材料、4英寸InP材料、3英寸碳化硅(SiC)材料已经商品化,2004年GaAs IC产值达60亿美元
国内目前GaAs以3~4英寸为主,InP以2英寸为主。半导体照明工程的发展对GaAs材料的应用在增加,氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等半导体材料在微电子、光电子技术领域应用发展很快,预计2005年全球锗硅(SiGe)外延材料市场可达22亿美元
;2、新型平板显示器件材料
新型平板显示器的材料主要包括LCD、高亮度
LED、PDP用材料,其中LCD用电子材料的发展将
以TFT—LCD为重点,TFT液晶材料占市场的份额
三分之二以上 ;2010年世界LCD材料需求预测 ;2010年中国LCD材料需求量预测 ;ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上,利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡(俗称ITO)膜加工制作成的。液晶显示器专用ITO导电玻璃,还会在镀ITO层之前,镀上一层二氧化硅阻挡层,以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。高档液晶显示器专用ITO玻璃在溅镀ITO层之前基片玻璃还要进行抛光处理,以得到更均匀的显示控制。液晶显示器专用ITO玻璃基板一般属超浮法玻璃,所有的镀膜面为玻璃的浮法锡面。因此,最终的液晶显示器都会沿浮法方向,规律的出现波纹不平整情况。;国际PDP材料市场的占有以日本为主,韩国第二位,国内已开始部分彩色PDP材料的研制和生产
LED材料方面预计2010年我国普亮GaAs材料年用量90万平方米;红外AlGaAs材料年用量90万平方米;红、橙、黄AlGaInP材料年用量2180万平方米;蓝、绿、紫高亮度AlGaInN材料年用量400万平方米。
;3、电子元器件材料
电子陶瓷材料是制造各种陶瓷电容器的主体结构
材料,国外年产各类电子陶瓷材料约在2万余吨,
预计“十一五”我国对微波介质陶瓷材料需求总每
年约1000吨,2010年各种电子陶瓷材料市场需求
约13.9万吨 ;预计世界磁性材料市场将以15%的年增长率发展,2010年产量约为永磁铁氧体85万吨,软磁铁氧体48万吨,钕铁硼磁体9万吨,届时我国永磁铁氧体磁性材料产量约为40万吨,软磁铁氧体20万吨,钕铁硼磁体6万吨,年产业规模将达到500亿元
在电子封装材料领域,预计2005年??球环氧模塑料EMC的年销量将达16~17万吨,市场约15~16亿美元,我国的市场需求将达到2500~3000吨;低温共烧基板(LTCC)全球2003年产量已突破1000万块以上;预计我国2010年覆铜板材的市场需求约62万吨。
2004年全球光纤产量近6900万公里,光缆产量5700万芯公里。2004年国内光纤产量约1600万芯公里,需求量约1300万芯公里
国际上激光晶体材料2003年产值约1亿美元。非线性光学晶体年销售额超过4亿美元,今后几年市场增长率约20%。我国2010年人造石英晶体的产能约2000吨/年。铌酸锂、钽酸锂晶体材料的市场需求约100吨 ;三、技术趋势 ;半导体材料(微电子、光电子)的发展趋势是:增大材料直径、提高材料参数的均匀性和表面质量、加速发展宽禁带半导体材料及第三代高温半导体材料,重点发展12″硅抛光片、8″、12″硅外延片,6″直拉砷化镓材料、SiGe/Si材料、SOI硅基材料、193nm光刻胶、超纯高纯试剂、先进的封装材料等产品。开发蓝光LED所需的GaN基、ZnSe基外延材料成为电子材料下一步的研究热点 ;电子元器件材料当前的发展重点是光电子器件所需的激光材料、非线性晶体材料、光纤通信材料、压电晶体材料、片式元件用的陶瓷材料、高密度印制板用的高性能覆铜板材料、高性能磁性材料等 ;同时已开展无铅、镉等有害物质介质瓷料的研究和生产;光纤材料正向不断扩展通信容量、降低损耗、增加传输距离、降低色散、提高带宽、抑制非线性效应、实现密集波分复用以及高灵敏度传感及大尺寸、低成本预制捧等方向发展;磁性材料领域将致力于发展新型稀土永磁材料,高磁性能的稀土永磁薄膜材料,高磁能积的纳米和非晶金属永磁材料。
掺钕钇铝石榴石晶体已成为应用最广泛的激光晶体,激光晶体的直径和尺寸也在不断增大,质量和性能不断提高。 ;电子显示器件材料的发展集中在FPD领域,STN-LCD 和TFT- LCD显示器所用的混合液晶,彩色滤色膜及颜料,平板玻璃,研究PDP所需的电极、荧光粉点阵的微细化技术,以使彩色等离子体显示器向大屏幕、高信息容量方向发展
无铅焊料替代含铅焊料,包括焊球、焊膏、焊条和焊丝等 ;四、产业现状 ;国内从事硅单晶材料研究生产企业约有40多家,从业人员约4000余人,2004年国内硅单晶产量达1700吨左右,大部分为4英寸、5英寸、6英寸硅
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