集成电路设计方案与工具课后附标准答案王志功版.pdfVIP

第一章 1． 按规模划分， 集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界 著名的定律，请说出是什么定律？ 晶体管 - 分立元件 -SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC 。MOORE定律 2 ． 什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装 分立运行。环境： IC 产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 矚慫润 厲钐瘗睞枥庑赖。 3． 多项目晶圆（ MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的 方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 聞創沟燴鐺險爱氇谴净。 4 ． 集成电路设计需要哪四个方面的知识？ 系统，电路，工具，工艺方面的知识 第二章 1． 为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用 ? 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉 2 ．GaAs和 InP 材料各有哪些特点 ?P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成 肖特基接触？ 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 4 ．说出多晶硅在 CMOS工艺中的作用。 P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6 ．SOI 材料是怎样形成的，有什么特点 ? SOI 绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之 间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 残骛楼諍锩瀨濟溆塹籟。 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？ 肖特基接触：阻挡层具有类似 PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易 地利用量子遂穿效应相应自由传输。 酽锕极額閉镇桧猪訣锥。 8. 简述双极型晶体管和 MOS晶体管的工作原理。 P19,21 第三章 1． 写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。 外延方法 : 液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 彈贸摄尔霁毙攬砖 卤庑。 2 ．写出掩膜在 IC 制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举 三种掩膜的制造方法。 P28,29 謀荞抟箧飆鐸怼类蒋薔。 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶 圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 厦礴恳蹒骈時盡继價骚。 4 ．X 射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线（ X-ray ）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩 膜版。电子束扫描法， ，由于高速电子的波长很短，分辨率很高 茕桢广鳓鯡选块网羈泪。 5． 说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。 热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下： 1. 掺 杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。 2. 可进行小剂量的 掺杂。 3. 可进行极小深度的掺杂。 4. 较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。 5. 可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价