集成电路工艺复习资料要点.pdfVIP

1. 特征尺寸（ Critical Dimension,CD）的概念 特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸， 是衡量工艺难度的标志， 代表集成电路 的工艺水平。 ①在 CMOS 技术中， 特征尺寸通常指 MOS 管的沟道长度， 也指多 晶硅栅的线宽。②在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸。 2. 集成电路制造步骤： ①Wafer preparation(硅片准备 ) ②Wafer fabrication (硅片制造 ) ③Wafer test/sort (硅片测试和拣选 ) ④Assembly and packaging (装配和封装 ) ⑤Final test(终测 ) 3. 单晶硅生长： 直拉法（ CZ 法）和区熔法（ FZ 法）。区熔法（ FZ 法）的特点 使用掺杂好的多晶硅棒； 优点是纯度高、 含氧量低；缺点是硅片直径比直拉的小。 4. 不同晶向的硅片， 它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器 件性能。例如迁移率，界面态等。 MOS 集成电路通常用（ 100）晶面或 100晶 向；双极集成电路通常用（ 111）晶面或 111晶向。 5. 硅热氧化的概念、氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。 氧化的概念： 硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应， 并在 硅片表面生长氧化硅的过程。 氧化的工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、 器件隔离、 屏蔽掺杂、形成电介质层等。 氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化： Si ＋O2 →SiO2 ②湿氧氧化： Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 ③水汽氧化： Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 硅的氧化温度： 750 ℃ ～1100℃ 6. 硅热氧化过程的分为两个阶段： 第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子 不足。 第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子不足，硅原子 充足 7. 在实际的 SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷。 ①. 可动电荷： 指 Na＋、K ＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各 种沾污等。 ② . 固定电荷：指位于 SiO2 – Si 界面 2nm 以内的过剩硅离子，可采用掺 氯氧化降低。 ③ . 界面态：指界面陷阱电荷 (缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。 ④ . 陷阱电荷：由辐射产生。 8. （硅热氧化）掺氯氧化工艺 在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的 HCl 气体（浓度在 3 ％以下） 以改善 SiO2 – Si 的界面特性。其优点： ①.氯离子进入 SiO2－Si 界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累。 ② .氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污。 9. SiO2-Si 界面的杂质分凝（ Dopant Segregation）：高温过程中，杂质在两种 材 料 中 重 新 分 布 ， 氧 化 硅 吸 引受 主 杂 质 （B ）、 排 斥 施 主 杂 质 （P、 As ）。 10. SiO2 在集成电路中的用途 ①栅氧层：做 MOS 结构的电介质层（热生长） ②场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积） ③保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长） ④注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂（热生长） ⑤垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长） ⑥注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长） ⑦层间介质：用于导电金属之间的绝缘（沉积） 11. 硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素 ①氧化温度； ②氧化时间； ③