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自测题一
一、判断题
1．因为 P 型半导体地多数载流子是空穴，所以它带正电 . （F ）
2．在 N 型半导体中如果掺入足够量地三价元素，可将其改型为 P 型半导体 . （T）
3．处于放大状态地三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成地 . （F ）
二、单选题
1．半导体中地少数载流子产生地原因是（ D ）.
A．外电场 B ．内电场 C ．掺杂 D ．热激发
2．用万用表测二极管地正、反向电阻来判断二极管地好坏，好地管子应为（ C ）.
A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小
C．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大
3．二极管地伏安特性曲线地正向部分在环境温度升高时将（ B ）. (X 轴为电压 )
A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移
4 ．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管地正向导通电流将（ A ）.
A ．增大 B ．减小 C．不变 D ．不确定
5．三极管 β值是反映（ B ）能力地参数 . （三极管可改 为电 流控制 电流源）
A ．电压控制电压 B ．电流控制电流 C ．电压控制电流 D ．电流控制电压
6．温度升高时，三极管地 值将（ A ）.
A ．增大 B ．减少 C．不变 D ．不能确定 b5E2RGbCAP
7．下列选项中，不属三极管地参数是（ B）.
A ．电流放大系数 B ．最大整流电流
C．集电极最大允许电流 D ．集电极最大允许耗散功率
8．某放大电路中三极管地三个管脚地电位分别为 U 1 6V ， U 2 5.4V ， U 3 12V ，则对应该管地管脚排列依次是（ B ）.
A ．e, b, c B ．b, e, c C ．b, c, e D ．c, b, ep1EanqFDPw
9．晶体三极管地反向电流是由（ B）运动形成地 .
A ．多数载流子 B ．少数载流子
C．扩散 D ．少数载流子和多数载流子共同
10．三极管工作在放大区，三个电极地电位分别是 6V 、 12V 和 6.7V ，则此三极管是（ D ）. （发 正偏集反偏） DXDiTa9E3d
A ．PNP 型硅管 B ．PNP 型锗管 C．NPN 型锗管 D ．NPN 型硅管
11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性地（ B ）.
A ．非饱和区 B．饱和区 C．截止区 D ．击穿区
12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极 g 与源极 s 之间电压为零时（ B ）.
A．能够形成导电沟道 B．不能形成导电沟道
C．漏极电流不为零 D．漏极电压为零
三、填空题
1．在杂质半导体中，多数载流子地浓度主要取决于 掺杂浓度 .
2．少数载流子在内电场力作用下有规则地运动称为 漂移 .
3．PN结正偏导通，反偏截止，称为 PN结地 单向导电性 性能 .
4 ．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 .
5．PN 结正向偏置时， PN 结地内电场被 削弱 .
6．三极管最重要地特性是 电流放大作用 .
7．温度升高时，晶体管地反向饱和电流将 增大 .
8．场效应晶体管属于 电压控制器件 .
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