模拟电子技术第四章双极结型三极管及放大电路基础.pptxVIP

第四章 三极管及放大电路基础; §4.1 半导体BJT;1、几种BJT的外形;半导体三极管图片;;;二、 BJT的电流分配与放大原理; 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。;;;4. 三极管的三种基本连接电路;结论; 晶体管具有电流放大作用时的管脚电压：;各电极电流关系及电流放大作用;例1 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如图。试判断各晶体管的类型;解：(1)依|VBE|=0.7V(或|VBE|= 0.2V)确定硅还是锗。;例2：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示;;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;为什么VCE增大曲线右移？;1. 输入特性曲线;;2. 输出特性;晶体管的三个工作区域;四、BJT的主要参数 ;;;2. 集电极－基极反向饱和电流 ICBO;3. 集电极－发射极反向饱和电流ICE0（穿透电流）;4. 极限参数;b. 集电极最大允许功率 PCM;c. 反向击穿电压 VBR;五、温度对BJT参数的影响;(1) 温度对ICBO的影响;一、电路的组成及各元件的作用;二. 共射放大电路的电压放大作用;IC;;结论：;结论：;符号规定;三、设置静态工作点的必要性;四、放大电路的组成原则;两种实用放大电路：（1）直接耦合放大电路;两种实用放大电路：（2）阻容耦合放大电路;简化电路——电路的习惯画法;;直流通路; 例 画出图示电路的直流通路，并近似估计静态工作点;(b);(c);(d);;例：用估算法计算静态工作点。;;（c）已知：VCC=12V，RC=4K?， Rb1=Rb1=100K ?,Re=4K?, ?=100。 ;;动态分析主要是通过分析放大器的交流通路，来研究在输入信号作用下，电路各状态的变化量：ib，vbe，ic，vce;;(b);(c);(d);一、静态工作点的图解分析;;;5、在输出特性曲线上，作出直流负载线 VCE=VCC-ICRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ 和ICQ。;;;C、带交流负载的动态分析;由交流通路得到：;Q;由图解法对共射电路分析得到如下结论：;1. BJT的三个工作区域;? 饱和区;? 放大区 (线性区);2. 静态工作点对波形失真的影响;饱和失真的波形;iC;? Q点选择原则：; 小结： 晶体管三个工作区的特点:;例 判断下列管子的工作状态;图解分析法的特点;一. BJT的H参数及小信号模型;1. H参数的引出;在静态工作点附近的微变量，???通过对输入、输出特性进行微分，得到：;dvBE、dvCE、diB及diC表示为在工作点（Q点）附近无限小的信号变化量。 当放大器工作在线性区，信号量较小时，可分别用vbe、vce、ib与ic代替，得到BJT在Q点附近的局部线性化模型：;H参数的物理意义;;hfe: ,反映Q点附近，vCE不变，输入电流iB变化引起的输出电流变化的比值，即：Q点附近的电流放大倍数，习惯符号：β;2. BJT的H参数小信号模型及等效电路;;3. H参数的确定;二、用H参数小信号模型分析共射极放大电路;1. 画电路的小信号模型;2. 求电压放大倍数;3. 计算输入电阻和输出电阻; 对负载而言，放大器可等效为一个内阻为Ro电压源Vo，这个Ro即放大器的输出电阻。在输入短路，输出开路，输出端加入测试电压，得;用H参数分析小信号电路的步骤： 1、静态分析求IE 2 画出三极管的H参数小信号模型等效电路，并标出 三个电极（C，B，E）及电流方向； 2、根据交流信号通路画出其它元件； 3、将图中的变量用相量表示； 4、利用等效电路求解各参数。; 例 画出图示电路的微变等效电路，图中设各电容的容抗均可忽略(注意标出电压电流的正方向)。;;(b);(c);例 如图所示电路T为3DG6，已知工作点处的? = 40;解：(1)静态分析，求IE;解：(2)画交流通路，求等效电路;Ri=Rb//rbe≈rbe=0.866k; §4.4 放大电路的工作点稳定问题;温度对三个因素的影响的结果将导致静态工作点（Q点）的漂移，T?? IC ?? Q点上移， 稳定且合适的静态工作点(Q点)是放大电路正常工作的基本前提。因此，温度的变化将影响放大电路的性能。;解决办法 ?尽量保持温度不变； ?选择高质量的晶体管； ?采取技术措施，利用温度负反馈原理，随着温度的变化自动调整电路参数，从而减小温度影响，以稳定Q点。 针对ICBO的影响，可使IB随温度的升高自动而自动 减小； 针对VBE的影响，可使发射结的电压随温度的升高 而自动减小； 共射电路稳定Q点的常用方法：射级偏置。;二、射极偏置电路