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电 力 电 子 技 术 Power Electronics 电 力 电 子 技 术 ? 晶闸管（ Thyristor ）是能承受高电压、大电流的半控型电力 电子器件，也称可控硅整流管（ SCR ， Silicon Controlled Rectifier ）。 ? 由于它电流容量大、电压耐量高以及开通的可控性，已被广 泛应用于可控整流和逆变、交流调压、直流变换等领域，成 为特大功率、低频（ 200Hz 以下）装置中的主要器件。 ? 它包括普通晶闸管及其一系列派生产品，在无特别说明的情 况下，本书所说的晶闸管都为普通晶闸管。 2.4 晶闸管 电 力 电 子 技 术 A A G G K K b) c) a) A G K K G A P 1 N 1 P 2 N 2 J 1 J 2 J 3 A G K K 图 2-9 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 封装 b) 结构 c) 电气图形符号 2.4.1 基本结构和工作原理 ? 晶闸管有三个电极，分别是阳 极 A 、阴极 K 和门极（或称栅极） G 。 ? 晶闸管内部是 PNPN 四层半导体 结构，四个区形成 J 1 、 J 2 、 J 3 三个 PN 结。 ? 若不施加控制信号，将正向电压 （阳极电位高于阴极电位）加到 晶闸管两端， J 2 处于反向偏置状态 ， A 、 K 之间处于阻断状态；若反 向电压加到晶闸管两端，则 J 1 、 J 3 反偏，该晶闸管也处于阻断状态 。 电 力 电 子 技 术 2.4.1 基本结构和工作原理 P2 N2 G K P1 N1 A J1 J2 J3 P2 N1 晶闸管的 双晶体管模型 电 力 电 子 技 术 ? 将晶闸管等效为一个 PNP 晶体 管 V 1 和一个 NPN 晶体管 V 2 的复合 双晶体管模型。 ? 如果在 V 2 基极注入 I G （门极电流 ），则 V 2 导通，产生 I c2 （ β 2 I G ）。 由于 I c2 为 V 1 提供了基极电流，因 此 V 1 导通，且 I c1 = β 1 I c2 ，这时 V 2 的 基极电流由 I G 和 I c1 共同提供，从而 使 V 2 的基极电流增加，形成强烈 的正反馈，使 V 1 和 V 2 很快进入饱 和导通。此时即使将 I G 调整为 0 也 不能解除正反馈，晶闸管会继续 导通，即 G 极失去控制作用。 R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I c2 I c1 I A V 1 V 2 P 1 A G K N 1 P 2 P 2 N 1 N 2 a) b) 图 2-10 晶闸管的双晶体 管模型及其工作原理 2.4.1 基本结构和工作原理 电 力 电 子 技 术 R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I c2 I c1 I A V 1 V 2 P 1 A G K N 1 P 2 P 2 N 1 N 2 a) b) 图 2-10 晶闸管的双晶体管模型 及其工作原理 ? 按照晶体管工作原理，忽略两 个晶体管的共基极漏电流，可列 出如下方程： I K = I A + I G （ 2-4 ） I A = I c1 + I c2 = α 1 I A + α 2 I K （ 2-5 ） ? 其中 α 1 和 α 2 分别是晶体管 V 1 和 V 2 的共基极电流增益。则可推导出 （ 2-6 ） ) ( 1 2 1 G 2 A ? ? ? ? ? ? I I 2.4.1 基本结构和工作原理 电 力 电 子 技 术 R NPN PNP A G S K E G I G E A I K I c2 I c1 I A V 1 V 2 P 1 A G K N 1 P 2 P 2 N 1 N 2 a) b) 图 2-10 晶闸管的双晶体管模型 及其工作原理 ? 根据晶体管的特性，在低发射极电流下其 共基极电流增益 α 很小，而当发射极电流建 立起来后， α 迅速增大。因此，在晶体管阻 断状态下， α 1 + α 2 很小。 ? 若 I G 使两个发射极电流增大以致 α 1 + α 2 大于 1 （通常晶闸管的 α 1 + α 2 ≥1.15 ），