高功率LED散热技术与发展趋势(深圳利科澳光电技术有限公司(精).docxVIP

High power LED 散热技术与发展趋势 (High power LED Cooling Technology and Development Trend 张宝林 于深圳 发光二极管 (LED 具有低耗能、省电、寿命长、耐用等优点 ,因而被看好将取代传统 明光源成为未来照明光源。但是 ,随著 功率 增加 ,电流必然增大 ,因而 LED 所产生电热流 之废热无法有效散出 ,致使 LED 寿命严重下降。 LED 发光效率会随著使用时间及次数而降 低,而过高的接面温度则会加速 LED 发光效率衰减 ,故散热成 LED 软肋。 (注:LED 使用 寿命的定义为 ,当 LED 发光效率低于原发光效率之 70% 时 ,可视为 LED 寿命终结 随著芯片技术的日益成熟 ,单调的 LED 芯片 输入功率可达到 5W ,甚至更高 ,所以防备 LED 工作温度过高也越来越显得重要。若不能有效的将芯片热量散出 ,接踵而来的热效应 也会变得越来越明显 , 使得芯片接面温度升高 , 进而直接减少芯片射出的 光子 能量 , 降低出 光效率。温度的升高也会使得芯片发射出的光谱产生红移 , 色温 质量下降。 假定当 LED 的 p-n 接面温度 (Junction Temperature为 25℃ (典型工作温度时 亮度 为 100,则温度升高至 75℃ 时亮度就减至 80,到 125℃ 则剩 60,到 175℃ 时只剩40。很明显地 , 接面温度与发光明度是呈反比的线性关系。 除了照明质量 ,高温对 LED 寿命也有极大的影响。温度对亮度的影响是 线性 的 ,但对 寿命的影响却是 指数性的 ,同样以接面温度为准 ,若一直保持 50℃ 以下使用 ,则 LED 有近 20, 000 小时的使用寿命 , 75℃ 则只剩 10, 000 小时的使用寿命 , 100℃ 剩 5, 000 小时 , 125℃ 剩 2, 000 小时 , 150℃ 剩 1, 000 小时。温度光从 50℃ 变成两倍的 100℃ ,使用寿命就从 20, 000 小时缩短 1/4 倍的 5, 000 小时 ,所以热会极度影响 LED 的使用寿命。 LED 散热 关于发光效率与使用寿命影响甚大 ,故散热装置的设计相当重要 ,衍生需要克 服的问题也好多 ,甚至成为 LED 厂商间的决胜重点。 针对 LED 发热重点点的深入研究 LED 整体发热量虽然不高 ,但换算成单位体积发热量时 ,却远远超过其余光源。热量 的传达路径主要分为三种型态 ,分别为热传导传达 (conduction heat transfer、热对流传达 (convection heat transfer、热辐射传达 (radiation heat transfer。 LED 关于三种热传导方式 的依靠程度相差甚大。 LED 可从空气中散热、亦有热能直接由基板导出、或经由金线将热 能导出 ,若为共晶及 Flip chip 制程 ,热能将经由通孔至系统电路板而导出。 LED 各部位热流量所占比率 ,其中以铝基板 (MC PCB 和电极引脚 (Lead 所占热 流 比率最大 ,由于 LED 接面温度较其余光源温度低很多 ,故热能无法以辐射模式与光一起射 出去 ,所以 LED 有大概 90%之多余热以热传导方式向外扩散 ,在高电流强度作用下 , LED 芯片接面温度升高 ,需要有优秀的 LED 封装及模块设计 ,来提供 LED 适合热传导途径 , 以降低接面温度。 不同封装方式 ,也有很大的影响 ,比如有专家以 S iC 及 Sapphire 两种不同封装方 式之 芯片 ,搭配 ANSYS 之有限元素软件包 ,进行热模拟剖析比较 ,两种不同封装方式之芯片发 热量皆为 1W 。在该实验中 SiC 封装方式之芯片温度散布较均匀 ,且接面温度也较低 ,此与 SiC 之高热传导系数有关。 利用红外线热影像仪 , 实际拍摄 SiC 及 Sapphire两种不同封装方 式之芯片表面温度。 SiC 封装方式之芯片表面最大温度温差约为 2℃ ,而 Sapphire 封装方式 之芯片表面最大温度温差约为 43℃ 。就因热膨胀系数不同而产生之热应力问题而言 , SiC 封 装方式可得较低热应力。 散热设计往常有 5 个控制变因 ,分别为 LED 间距、介电层厚度、电路层厚度、焊锡厚 度以及环境温度。往常 LED 间距为五个控制因子中 ,影响较大之控制因子。但是, LED 间 距因混光及光均匀度之 光学 设计需求 , 并无法随意改变。 除了利用 LED 封装 及LED模块设 计,使接面温度降低 , LED 寿命及可靠度上升以外 ,提高 LED 对高接面温度抵挡力也是一 种方法 ,但于制程之后想改良 LED 之散热情况 ,仍须考虑其散热模块之设计