无机材料科学基础__晶体结构缺陷.pptx

第四章 晶体结构缺陷;1、缺陷的定义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 2、理想晶体：质点严格按照空间点阵排列的晶体。 3、实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性的晶体。 4、晶体缺陷对材料性能的影响： 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程有关。 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。;2; 4.1.1. 点缺陷(Point Defect)： 任何方向尺寸都远小于晶体线度的缺陷区;3;杂质原??/离子;4.1.1.1点缺陷的类型;取代原子：这种杂质原子取代原来晶格中的原子而进入正常结点的位置。 间隙式杂质原子：杂质进入晶体中本来就没有院子的间隙位置，生成间隙式杂质原子。 固溶体：杂质进入晶体可看成是一个溶解的过程，杂质为溶质，原晶体为溶剂，这种溶解了杂质原子的晶体称为固溶体。;（二）按点缺陷产生的原因分类; 热缺陷;Frenkel缺陷;Frenkel缺陷特点;Schottky缺陷;Schottky缺陷特点;杂质缺陷 亦称为组成缺陷或非本征缺陷 定义：是由外来杂质的引入所产生缺陷。 特征：如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围 内，则杂质缺陷的浓度与温度无关。这 与热缺陷是不同的。 杂质缺陷对材料性能的影响：由于外来杂质的影响使材料原有性质发生改变，如在陶瓷材料及半导体材料中，为了得到特定性能的材料，往往有意添加杂质。提高材料的性能。 氧化锆中掺氧化钙，可提高氧化锆的热稳定性。;非化学计量缺陷 定义：指组成上偏离化学中的定比定律，所 形成的缺陷。它是由基质晶体与介质 中的某些组分发生变换而产生。 特点：某些化学组成随周围气氛的性质及其 分压大小而变化。是一种半导体材料。;4.2缺陷化学反应表示法;4.2 缺陷化学反应表示法;4.2缺陷化学反应表示法4.2.1点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号;3. 错位原子 错位原子用MX、XM等表示，MX的含义是M原子占据X原子的位置。XM表示X原子占据M原子的位置。 4. 自由电子（electron）与电子空穴 (hole） 　　分别用e，和h ·来表示。其中右上标中的一撇“，”代表一个单位负电荷，一个圆点“ · ”代表一个单位正电荷。 ; 5.带电缺陷 　　在NaCl晶体中，取出一个Na+离子，会在原来的位置上留下一个电子e，，写成VNa’ ，即代表Na+离子空位，带一个单位负电荷。同理，Cl－离??空位记为VCl · ，带一个单位正电荷。 即：VNa’=VNa＋e，，VCl · =VCl＋h·。 ; 其它带电缺陷： 　1)CaCl2加入NaCl晶体时，若Ca2+离子位于Na+离子位置上，其缺陷符号为CaNa · ，此符号含义为Ca2+离子占据Na+离子位置，带有一个单位正电荷。 2)CaZr,,表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置，此缺陷带有二个单位负电荷。 其余的缺陷VM、VX、Mi、Xi等都可以加上对应于原阵点位置的有效电荷来表示相应的带电缺陷。 ; 6.缔合中心 电性相反的缺陷距离接近到一定程度时，在库仑力作用下会缔合成一组或一群，产生一个缔合中心， VM和VX发生缔合,记为（VMVX）。;4.2.2缺陷反应方程书写规则 ;1.写缺陷反应方程式应遵循的原则 ; （1）位置关系： 在化合物MaXb中，无论是否存在缺陷，其正负离子位置数（即格点数）的之比始终是一个常数a/b，即：M的格点数/X的格点数?a/b。如NaCl结构中，正负离子格点数之比为1/1，Al2O3中则为2/3。 ;注意： 1) 位置关系强调形成缺陷时，基质晶体中正负离子格点数之比保持不变，并非原子个数比保持不变。 2) 在上述各种缺陷符号中，VM、VX、MM、XX、MX、XM等位于正常格点上，对格点数的多少有影响，而Mi、Xi、e，、h·等不在正常格点上，对格点数的多少无影响。 3) 形成缺陷时，基质晶体中的原子数会发生变化，外加杂质进入基质晶体时，系统原子数增加，晶体尺寸增大；基质中原子逃逸到周围介质中时，晶体尺寸减小。 ; （2）质量平衡： 与化学反应方程式相同，缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置，对质量平衡无影响。 （3）电中性： 电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等。 ; 2.缺陷反应实例 ;例1·写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式;以正离子为基准，缺陷反应方程式为： 以负离子为基准，则缺陷反应方程式