第02章 半导体中的杂质和缺陷.pdfVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷 杂质 缺陷 原子在平衡位置附近振动 实际半导体晶格偏离理想情况 杂质和缺陷 原子的周期性势场受到破坏 在禁带中引入能级 决定半导体的物理和化学性质 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的 其它元素。 其它元素。 浅能级杂质：能级接近导 带底 Ec 或价带顶 Ev ； 深能级杂质：能级远离导 带底 Ec 或价带顶 Ev 。 点缺陷，如空位、间隙原子等 缺陷 线缺陷，如位错等 面缺陷，如层错、晶粒间界等 §2.1 半导体中的浅能级杂质和缺陷 一、杂质存在的方式和缺陷类型 1.存在方式 (1)间隙式杂质：杂质位于组成半