集成电路版图设计习题答案第五章电容和电感.docVIP

第5章 电容和电感 【习题答案】 1．集成电路中的电容主要包括（多晶硅-多晶硅电容）、（多晶硅-扩散区电容）、（金属-多晶硅电容）和（金属-金属电容）。 2．请比较集成电路中的四种主要电容。 答：多晶硅-多晶硅电容通常制作在场区处，由场氧化层把电容和衬底隔开。由于场氧化层较厚，所以多晶硅-多晶硅电容的寄生参数小，而且无横向扩散影响。通过精确控制两层多晶硅的面积以及两层多晶硅之间的氧化层的厚度，可得到精确的电容值。由于多晶硅-多晶硅电容制作在场氧化层上，所以电容结构的下方不能有氧化层台阶，因为台阶会引起电容下极板的表面不规则，将造成介质层局部减薄和电场集中，从而破坏电容的完整性。 对于多晶硅-N阱电容，由于N阱是轻掺杂的，所以下极板N阱具有较大的串联电阻，可通过在N阱的四周布置接触孔来降低串联电阻的影响。同时下极板N阱还有寄生结电容，该寄生结电容来自于PN结。在进行多晶硅-N阱电容下极板电位的连接时需要注意，必须始终保证N阱和P型衬底之间的PN结始终反偏。多晶硅-N阱电容在一定电压下有非线性效应。 通常，金属-多晶硅电容也制作在场区，由于场氧化层的存在，使得下极板多晶硅与衬底之间的寄生电容较小。 金属-金属电容不存在PN结，从而消除了结电容，对电压的依赖也消失了，另外金属-金属电容的精度高、匹配性好。在大多数情况下，当两块金属重叠时，必须确保上下两层金属不能短路。所以，对于金属-金属电容需要一层相当厚的电介质材料来隔离不同的金属层。由于两层金属之间的距离增加了，所以为了得到和其它电容相同的电容值，需要制备的金属极板的面积将大大增加。为了减小金属-金属电容所占用的面积，在多层金属互连系统中可以制备叠层金属电容。而对于叠层金属电容，其典型优点就是在单位芯片面积上可获得更大的电容，缺点是受限于多层金属互连系统使用的金属层数。 3. 请简述集成电路中电容的寄生效应与屏蔽方法。 答：利用集成电路中已有的材料制备电容器是非常方便的，因为有时并不需要额外增加工艺步骤。这是个好消息，但也可能是个坏消息。在集成电路中存在电容器是常见的情况，任何时刻，只要有一块导电材料跨过另一块导电材料且二者之间还存在电解质（包括空气）就会形成一个电容器。即使有时我们不想它出现，但它就偏偏存在，这种不希望存在却偏偏存在的电容也称为寄生电容。 为了减小电容的寄生效应，除了与电容相连的导线外，尽量不要让其它导线从电容上跨过，因为导线会额外增加寄生电容，存在引发噪声耦合的可能。精确匹配的电容应进行静电屏蔽，如果没有静电屏蔽，则不应该在电容上方布线。静电屏蔽就是在电容的两个极板的外侧利用金属或其它材料进行覆盖，并对覆盖材料进行适当连接从而实现电容极板免受静电干扰的方法。静电屏蔽能使极板免受邻近导线的影响，还能屏蔽电容耦合。由于集成电路工艺的特殊性，通常只能对电容的上极板进行静电屏蔽。 4．请简述集成电路中电容的匹配规则。 答：下面给出集成电容的匹配规则。 1. 匹配电容的图形要尽量相同。 2. 精确匹配电容的尺寸应该采用正方形。 3. 匹配电容的大小要适当。 4. 匹配电容要邻近摆放。 5. 利用阵列结构拆分大电容来实现对称性，阵列结构应该共质心，并在阵列电容的周围设置虚拟电容（Dummy）。 6. 精确匹配的电容应进行静电屏蔽，如果没有静电屏蔽，则不应该在电容上方布线。 7. 匹配的电容应尽量放置在低应力区，并远离功率器件。 5．集成电路中的电感主要包括（圆形电感）、（八边形电感）、（方形电感）和（叠层电感）。 6. 请简述集成电路中的电感的设计准则。 答：下面给出集成电感版图设计的一般准则，这些准则应该结合具体芯片制造厂商的工艺规则来使用，可取得很好的效果。 1. 集成电感应制作在高电阻率的衬底上。 2. 尽量用高层金属制作电感。 3. 所有未连接的金属线都要远离电感。 4. 尽可能地降低电感不同圈的导线之间的距离。 5. 尽量不要在电感的上面或下面放置金属板。 6. 电感导线应该短而直。 7. 尽量使用集成电路芯片厂商提供的电感库。