集成电路版图设计习题答案第一章半导体器件理论基础.docVIP

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  • 2021-06-30 发布于湖北
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集成电路版图设计习题答案第一章半导体器件理论基础.doc

集成电路版图设计习题答案第1章 半导体器件理论基础 【习题答案】 1.如何理解本征半导体和掺杂半导体材料的导电机理。 答:本征半导体就是一块没有杂质和缺陷的半导体,其晶格结构是完美的,在其内部除了硅原子外没有其它任何原子,因此是纯净的。在绝对零度附近,本征半导体的共价键是完整的、饱和的,无本征激发,自然没有电子和空穴;当温度升高时,本征激发过程产生了电子和空穴,这些本征载流子的浓度虽然很低,但仍然可以导电。 在杂质半导体材料中,由于掺入杂质的数量远大于硅的本征载流子浓度,因此这些半导体材料的导电性不是由本征激发产生的载流子决定,而是受控于材料中所掺入的杂质(包括杂质的数量和类型)。在半导体中可以掺入各种各样的杂质,但为了更好的控制半导体材料的导电性,通常掺入元素周期表中的 = 3 \* ROMAN III、 = 5 \* ROMAN V族元素。杂质半导体的导电能力通常高于本征半导体。 2.如何理解空穴的导电机理。 答:空穴的导电作用如下图所示。在下图中,位置(1)有一个空穴,它附近的价键上的电子就可以过来填补这个空位,例如从位置(2)跑一个价键电子到位置(1)去,但在位置(2)却留下了一个空位,相当于空穴从位置(1)移动到位置(2)去了。同样,如果从位置(3)又跑一个电子到位置(2)去,空穴就又从位置(2)跑到位置(3),……。如果用虚线箭头代表空穴移动的方向,实线箭头代表价键电

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