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化合物半导体行业市场销售额及预测分析 ? ? 化合物半导体即Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料, 包括碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等半导体材料, 它们是有别于第一代硅半导体的二、三代半导体. 从2000年开始, 化合物半导体市场逐步扩大, 以砷化镓、氮化镓、碳化硅为首的半导体材料应用增多. ? ? Ⅲ-Ⅴ族化合物与传统硅材料相比具有以下优点：一、带隙较大, 所制造的器件能够耐受较大功率, 且工作温度更高. 电子迁移率高, 适合制备高频、飞速器件. 二、光电转换效率高, 适合制作光电器件. 化合物半导体在三代半导体材料性能比较中优异 材料 - Si GaAs GaN 物理特性 禁带宽度（ev） 1.1 1.4 3.4 饱和速率（107cm/s） 1 2.1 2.7 热导（W/c·K） 1.3 0.6 2 击穿电压（M/cm） 0.3 0.4 5 - 电子迁移速率（cm2/V·s） 1350 8500 900 应用情况 光学应用 无 红外 蓝光/紫外 高频性能 差 好 好 高温性能 中 差 好 发展阶段 成熟 发展中 初期 ? ? 因此, Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体多应用于光纤通讯、无线通讯、卫星通讯、高端功率器件等领域. 其中, 砷化镓主要用于民用射频器件、氮化镓主要用于军用/高性能民用射频器件、碳化硅主要用于高压功率器件领域. 化合物半导体下游应用市场开始明确 分类 主要下游应用 介绍 GaAs 民用射频器件 在移动终端的无线PA和射频开关器领域占主导地位，未来高集成度和低成本制造将成为产业发展趋势，在无线通信、消费电子、汽车电子、物联网等应用领域将得到广泛应用。 GaN 军用/高性能民用射频器件 蓝绿光LED产业发展成熟，微波通信器件和电力电子器件产品尚未在民用领域广泛应用。 SiC 高压功率器件 产品主要以电力电子器件为主，SiC-IGBT未来将凭借其优异的性能在大型轮船引擎、智能电网、高铁和风力发电等大功率领域得到应用 ? ? 砷化镓（GaAs）材料是目前生产量最大、应用最广泛, 因而也是最重要的化合物半导体材料, 是仅次于硅的最重要的半导体材料. 砷化镓材料具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙, 消耗功率低的特性, 广泛应用于高频及无线通讯领域, 在手机、无线网络、光纤通讯、汽车雷达、卫星通信、物联网及可穿戴设备等行业具有强劲的市场需求. 中国GaAs市场2011-2016年销售额以及2017-2021年预测（单位：亿元） ? ? 而根据相关数据, 2014年全球GaAs元件市场总规模为74.3亿美元, 较2013年同比增长15%, 2015年达到86亿美元, 同比增长15.75%, 到2020年, 市场规模预计将突破130亿美元. ? ?