微电子器件与工艺课程设计.pptxVIP

微电子器件与工艺课程设计;设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，β=100。VCEO=15V,VCBO=70V. 晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=5mA。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。;具体要求：;4、总体制造方案：清洗→氧化→光刻（光刻基区）→硼预扩散→硼再扩散（基区扩散） → 去氧化膜→ 氧化工艺→ 光刻（光刻发射区）→磷预扩散→磷再扩散（发射区扩散） → 去氧化膜→ 沉积保护层→光刻（光刻接触孔）→金属化→光刻（光刻接触电极）→参数检测;设计要求;设计要求;晶体管设计过程，实际上就是根据现有的工艺水平，材料水平，设计水平和手段以及所掌握的晶体管的有关基本理论，将用户提出的或预期要得到的技术指标或功能要求，变成一个可实施的具体方案的过程。 ;;1.材料结构常数设计;由击穿电压VCBO确定N C，也可根据公式计算，;考虑穿通电压：教材297页 三极管的击穿电压是雪崩击穿电压和穿通电压中较小的一个;2. 晶体管的纵向设计;采用硅平面工艺制备PN结的主要工艺过程 ;(g)完成光刻后去胶的晶片 ;三、晶体管的横向设计;4。工艺步骤设计;;;; 硅片清洗→氧化→光刻基区 →磷预扩散→磷再扩散（基区扩散） →去氧化膜→ 氧化工艺→光刻发射区 →硼预扩散→硼再扩散（发射区扩散） → 去氧化膜→ 沉积保护层→光刻接触孔 →金属化→光刻接触电极→参数检测 ;;;;;1、硅片清洗;3、光刻基区;6、去氧化层;8、光刻发射区;11、去氧化层;14、金属化(反刻金属）;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。10月-2010月-20Wednesday, October 14, 2020 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。23:43:5723:43:5723:4310/14/2020 11:43:57 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。10月-2023:43:5723:43Oct-2014-Oct-20 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。23:43:5723:43:5723:43Wednesday, October 14, 2020 13、志不立，天下无可成之事。10月-2010月-2023:43:5723:43:57October 14, 2020 14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other famous sights. If Id gone alone, I couldnt have seen nearly as much, because I wouldnt have known my way about. 。14 十月 202011:43:57 下午23:43:5710月-20 15、会当凌绝顶，一览众山小。十月 2011:43 下午10月-2023:43October 14, 2020 16、如果一个人不知道他要驶向哪头，那么任何风都不是顺风。2020/10/14 23:43:5723:43:5714 October 2020 17、一个人如果不到最高峰，他就没有片刻的安宁，他也就不会感到生命的恬静和光荣。11:43:57 下午11:43 下午23:43:5710月-20