北大半导体物理课件-pn结二极管(二).pdfVIP

pn结二极管(二) 实际电流曲线相对理想的偏离 二级管的温度特性 二极管交流小信号特性 二极管的瞬态特性 半导体器件物理 实际电流曲线相对理想的偏离 • 一个二级管的 实际测试电流 曲线 半导体器件物理 • 正向只有中等 偏压下与理想 情形一致 • 反向电流并非 常数 半导体器件物理 耗尽区产生－复合电流 半导体器件物理 耗尽区产生－复合电流 半导体器件物理 耗尽区产生－复合电流 xn ∂n J R −G =−q∫−xp ∂t thermaldx R −G ∂n np −n 2 U i τ ( ) τ ( ) ∂t n +n + p +p p t n t • 反向 qnW J =− i 复合中心能级位置对 R −G τ 产生时间τ 有显著影 g g 响,而对复合时间τr影 • 正向 响较小 qnW qV / 2 k T J i e B R −G 2τ r 半导体器件物理 大电流现象 • 串联电阻 V V − IR J A s p x x ( n ) ≅ • 大注入电流 n x x( p ) − ≅ n n n p p p ①大注入使扩散系数加倍，少子扩散系数由D 增加到 P 2DP ，此时，漂移电流和扩散电流各占一半。 ②大注入时电流对电压的依赖关系由小注入的 exp(qV/kT)变为exp(qV/2kT)，电流随电压增加的速 度变慢。 ③大注入的电流密度与N 区掺杂浓度无关。只与ni成 正比，而小注入下与ni2/ND成比例