北大半导体物理课件-第4章1-MOSFET器.pdfVIP

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2021-07-10 发布于湖北
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北大半导体物理课件-第4章1-MOSFET器.pdf

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半导体器件物理 MOSFET器件结构半导体器件物理半导体器件物理 MOSFET发展历史 • 1960 - First MOSFET fabricated – Kahng 贝尔实验室 MOSFET. • 1963 - First MOS IC – RCA produces the first PMOS IC. • 1963 - CMOS invented – Frank Wanlass at Fairchild Semiconductor originated and published the idea of complementary-MOS (CMOS). • 1964 - 1 inch silicon wafers introduced 半导体器件物理 MOSFET发展历史 • 1965 - Moores law – 集成度每两年翻一番 – 修正为每18个月 • 1969 - BiCMOS invented [I] – Lin, Ho, Iyer and Kwong Complementary MOS-Bipolar Transistor Structure • 1970 - 1st NMOS IC – Cogar, et.al. IBM 金属栅（铝栅）NMOS 半导体器件物理 MOSFET发展历史 • 1970 - First commercial DRAM - 1Kbits – 硅栅PMOS 工艺、最小线宽8µm • 1971 - Microprocessor invented – 4004 , In 1974 Intel introduced the 8080 – 硅栅PMOS 工艺、最小线宽10µm，时钟频率108KHz • 1979 - 125mm silicon wafers introduced – 5 吋硅片半导体器件物理 MOSFET发展历史 • 1982 - Intel 80286 – 硅栅CMOS 工艺、最小线宽1.5µm – 134,000 transistors • 1983 - 1st CMOS DRAM • 1989 - Intel 80486DXTM – 硅栅CMOS 工艺、最小线宽1.0µm – 1.2 million transistors 半导体器件物理 MOSFET发展历史 • 1997 - Intel Pentium II – 硅栅CMOS 工艺、最小线宽0.35µm – 7.5 million transistors • 2000 - Intel Pentium 4 – 42 million transistors – 硅栅CMOS 工艺、最小线宽0.18µm • 2004 - Intel Pentium 4E (Prescott 核心) – 100 million transistors – 90纳米硅栅CMOS 工艺、应变硅技术 • 2007 - Intel 4核处理器试制成功 – 820 million transistors – 45纳米CMOS 工艺半导体器件物理半导体器件物理半导体器件物理 MOS 电容 MOS 电容半导体器件物理一、MOS结构 • MOS结构指金属-氧化物-半导体结构，如图半导体器件物理