LED发光二极体晶片认识.docx

LED晶片认识 LED的定义 联 隣滂 ：m ? ?K**KS2Sn^Sfli LED (light emitting Diode)应该仅应用于发 ? 射可见光的二极管；发射近红外辐射的二 极管叫红外发光二极管(IRED,Infrared ^蚤Emitting Diode)；发射峰值波长在可见光 短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称 为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三 ■种半导体二极管统称为发光二极管。 .，，-X* H土ED晶片的分类 券攀 j LED晶片按照组成成分的不同，可以分为二 兀（GaP、GaAS）、二兀（GaAlP、 総会-?f 晶片GaAsP）、四元晶片（InGaAlP 総会 -?f 晶片 按晶片发光颜色（波长）：红外线、红、 ■橙、黄、绿、蓝、紫全波段 按尺寸大小分：6mil 8mil 9mil 10mil 12mil 13 mil a 14mil 15mil a 20mil 28mil 40mil、 6X8mil、1 OX 12mil等等 f ； LED制程简述: I 辭LED制程主要可分为三个阶段：前段、中段、 ■ 后段（也称：上游、中游、下游。专业术 釁语则为：材料生长，芯片制备和器件封 习士 \ o ） 麝前段主要是外延片衬底以及外延层的生长 K 中段主要包括：研磨、蒸镀、光刻、切割 等过程 ? 后段则是根据不同的需要把做好的LED封装 繼成各种各样的形式 Al 西元LED晶片工 （P LED P-GaP-Mg GalnP-Al ■ N.GaP.SiGaAs F LED 工艺 （P （N 4 Ti Au AuBe Au GaAs Au AuGehJi P-GaP-Mg GalnP-Al N1 Au hi (Pll II g r.- t 浇:氮化物晶片 Eli? 、w、3 / vXL 参縁 丿O—C ■/ 敏化物昴片、丰要、纯z录光、山遢事，_1顷.,一一 同，制程工艺也不相同。LED能得到如此高的重视，也是因为有了 CaN材料。 我们通用的氮化物晶片是用有机金属化合物气相沉积法（MOCVD） 在蓝宝石或SiC衬底上先生成一层GaN和A1N缓冲层，后又用相同的方 式在缓冲层上再生成掺杂（Mg、Al、In）的InGaN/AlGaN晶体薄膜。 我们现阶段常用的氮化物晶片大多为InGaN/AlGaN双异质结构合金晶 体，此晶体结构相比GaN晶体在量子浓度上有很大提高，改变合金的 成分配比，可以改变量子跃迁的能级，从而得到不同发光波长。 氮化物晶体很难制成，因为衬底材料的晶格常数和氮化物晶体的晶格 籲布盛綺務離部攏歐1疇廠贵易謐*齧蠢靈 方式有机金属化合物气相沉积法（MOCVD）也只能到1微米/小时左 右。这是我们使用的氮化物晶片抗静电能力低的主要原因。 11蓝垒石衬底和SiC衬底的比较 蓝宝石衬底 SiC衬底 价格 较高 昂贵 导电性 高电阻率（绝缘体） 低电阻率，（半）导 导热性 热阻高 热阻低（高导热性能 硬度 高 高 3、 sgdy 密?二七、二二八，一￡够导学： w? ?H日本京都的风险企业紫明（Shimei）半导体，在硅底板上开发出了GaN类发光二极管（LED） 芯片（该公司Web网站）o其中，蓝色LED的输出功率为最大10mW,与普及型蓝色LED芯片 的功率几乎相同，“比起在蓝宝石底板上制作的蓝色LED芯片，制造成本不到一半”（该公 司）-据介绍，之所以能够降低制造成本，是因为与蓝宝石底板相平，硅底板的价格仅为约 1/10,另外硅底板比瘾圣石底板柔软，更易于加工。新产品的发光波长为450nmo芯片尺寸 为0.3mm见方。20mA驱动时的光度为1.5?2cd。除了蓝色LEDZ 密? 二七、二二八，一 ￡够导学： w? ?H 通堑，在硅底板上生成GaN膜时，由于GaN与硅的热膨胀率以及晶格常数差异较大，因 此容易产生龟裂等缺陷。此次，通过在硅底板上交互堆畳多层AlInGaN^AlInGaN以外的材料 作为缓冲层来抑制缺陷的发生。使用同样的手法，日本三県电气（Sanken Electric）与名占屋 工业大学正毬同开发在硅底板上制作的GaN类LEDO三垦电气通过在硅底板上交互堆叠多 层A1N和GaN束作为缓冲层。 由于硅比蓝宝石更容易吸收光线，所以在此次的蓝色LED缓冲层上设置了反射结构。与蓝宝 石相比，硅具有热传导性高的优点，在硅底板上制作的GaN类LED的散热特性会得到提高。 与绝缘的蓝宝石不同，由于硅能够导电，因此还具有可将n型电极安装在LED芯片最下部的优 点。通常，用蓝宝石底板制成的LED,由于蓝宝石为绝缘体，因此必须将LED的上部削掉一 部分以安装n型电极。而采用硅底板，则可-取消切削工序，因此预计成品率将得以提高。另 外据介绍，由于硅的硬度比蓝宝石以及SiC低，因此容