基于红外测温技术的微波功率器件降温曲线测量系统.docxVIP

鉴于红外测温技术的微波功率器件降温曲线测量系统 纲要： 为了有效实现对微波功率器件的热特征剖析，在瞬态红外设施基础上开发了一套用于获取微波功率器件降温曲线的测量系统。剖析了瞬态红外设施的原理，并根据降温曲线测量的需要对设施进行改造，开发了数据采集和办理系统，扩展了原有设施的功能，从头设计了测温流程、数据办理算 法和相应的软件系统，实现了对 GaN HEMT器件不同工作条件下降温曲线的测量。测量的降温曲线知足现有国际标准JESD51系列的要求， 在器件热特征剖析方面拥有较好的应用 远景。 重点词： 红外测温技术； 降温曲线； 电学法 中图分类号： TN 219 文件标志码： Adoi： Abstract ： A set of cooling curve measurement system for microwave power devices was developed based on a transient infrared tester in order to analyze the thermal characteristics of power devices.Working principles of the transient infrared tester were analyzed.A set of data acquisition and process system was developed to replace the corresponding part of the transient infrared tester.The working procedure and data processing software were designed to meet the demands of cooling curve measurement.Cooling curve of GaN HEMT device was obtained under varied working conditions.The obtained cooling curve fulfilled the requirements of JESD51 standard series. Keywords： infrared thermal measurement technique ； cooling curve ； electrical method 前言 微波功率器件正向着大功率、高频的方向发展，器件的 工作温度或许结温越来越高，器件热特征（热阻、结温、接 触热阻及器件各层的热阻和热容）剖析的重要性也日益突显。 为了有效地检测和剖析微波功率器件的热特征，国际固态物 理委员会（ JEDEC）制订了 JESD51系列的国际标准，用以指 导对微波功率器件的温度、热阻及构造特征的检测和剖析 。 电学法是器件热剖析的传统方法，利用器件电参数的温 度特征测量器件温度，用于热阻 [3] 等特征剖析。在国际标准中，为了实现对热阻等参数的测量，规定需要获取器件的降温曲线，并采用鉴于热阻抗原理的构造函数方法对曲线进行 剖析以获得器件有关的热特征参数。现有的电学法热阻测试仪，如 T3ster 和 Phase11 等都采用了降温曲线的方法，该方法也被美国等多个国家的标准所采纳 [46] 。可是，因为电学法热阻测试仪的测量电路与器件的工作电路相连结，会影响器件的真切工作条件，致使测量结果的误差。并且电学法热阻测试仪在 GaN HEMT 等新兴器件的检测方面还不够成熟，无法知足这些器件的检测需要，因此电学法的应用受到了一定限制。 显微红外热像仪将红外测温技术应用于微波功率器件温度检测，能够在不影响器件工作状态的条件下测量器件温 度，渐渐在微波功率器件热剖析领域推广普及 [79] 。可是，当前在半导体行业应用的显微红外热像仪不具备降温曲线 的测量能力，无法知足 JEDEC标准的要求，无法有效获得器件各层材料的热容、热阻及总体热阻等重点热特征参数的信息。因此，本文在现有具备高速测量能力的瞬态红外设施基础上，开发了一套数据采集及办理系统，以获取器件的降温 曲线，为微波功率器件尤其是新兴 GaN 类器件的热特征检测和可靠性剖析提供参照。 系统方案设计及实现 现有的瞬态红外设施提供高速测温功能，但其只合用于 脉冲工作条件下器件瞬态温度特征的测量，与测量降温曲线 的需求差别较大，无法直策应用于器件降温曲线的测量。表 列举了两种应用对设施要求的主要差别。 瞬态红外设施的基本组成如图 1 所示，控温平台根据红 外测温需要调整被测器件的基础温度，伺服系统承载显微红 外光学系统达成地点调整和对焦，光学系统将捕捉到的红外 辐射传输至高速红外探测器，后者将红外信号变换为电信号