MOSFET驱动电路设计参考.docx

根据电源谷网站文章整理 根据电源谷网站文章整理 总 总 20 页 第１页 MOSFET datasheet 参数理解及其主要特性 来源:电源谷 作者:Blash 下文主要介绍 mosfet 的主要参数，通过此参数来理解设计时候的考量 一、场效应管的参数很多，一般 datasheet 都包含如下关键参数： 1 极限参数： I D ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。 I DM ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。 PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使 用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM并留有一定余量。 此参数一般会随结温度的上升而有所减额。 VGS ：最大栅源电压。 Tj ：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。 TSTG ：存储温度范围。 静态参数 V(BR)DSS ：漏源击穿电压。是指栅源电压 V GS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受 的最大漏源电压。这是一项极限参数， 加在场效应管上的工作电压必须小于 V (BR)DSS 。 它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。 △ V (BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃。 RDS(on) ：在特定的 V GS （一般为 10V ）、结温及漏极电流的条件下， MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。 故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。 VGS(th) ：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压 V GS 超过 V GS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 I D 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。 I DSS ：饱和漏源电流，栅极电压 V GS=0 、 V DS 为一定值时的漏源电流。一般在微安级。 I GSS：栅源驱动电流或反向电流。 由于 MOSFET输入阻抗很大， I GSS 一般在纳安级。 动态参数 gfs ：跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。 g fs 与 V GS 的转移关系图如图 2 所示。 总 总 20 页 第２页 Q Qg ：栅极总充电电量。 MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的 建立过程， 这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的， 下面将有此方面的详细论述。 Qgs ：栅源充电电量。 Qgd ：栅漏充电（考虑到 Miller 效应）电量。 Td(on) ：导通延迟时间。从有输入电压上升到 10% 开始到 V DS 下降到其幅值 90% 的 时间 ( 参考图 4) 。 Tr ：上升时间。输出电压 V DS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间。 Td(off) ：关断延迟时间。 输入电压下降到 90% 开始到 V DS 上升到其关断电压时 10% 的时间。 Tf Ciss ：下降时间。输出电压 V DS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 ：输入电容， C iss = CGD + C GS （ C DS 短路）。 Coss Crss ：输出电容。 C oss = C DS +CGD 。 ：反向传输电容。 C rss = C GD 。 图 2 MOSFET的极间电容 MOSFET 之感生电容被大多数制造厂商分成输入电容， 输出电容以及反馈电容。所引述的值是在漏源电压为某固定值的情况下。 此些电容随漏源电压的变化而变化 （见图 3 的一典型关系曲线）。电容数值的作用是有限的。输入电容值只给出一个大概的 驱动电路所需的充电说明。 而栅极充电信息更为有用。 它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。 总 总 20 页 第３页 图 图 3 结电容与漏源电压之关系曲线 4 雪崩击穿特性参数 这些参数是 MOSFET在关断状态能承受过压能力的指标。限电压将导致器件处在雪崩状态。 如果电压超过漏源极 EAS ：单次脉冲雪崩击穿能量。这是个极限参数，说明 MOSFET所能承受的最大雪 崩击穿能量。 I AR ：雪崩电流。 EAR ：重复雪崩击穿能量。 5 热阻 ：结点到外壳的热阻。它表明当耗散一个给定的功率时， 结温与外壳温度之间 的差值大小。公式表达⊿ t =