2021年半导体物理习题及解答刘诺.docxVIP

精品学习资料 名师归纳总结——欢迎下载 半导体物理习题及解答刘诺第一篇习题半导体中的电子状态1-1，什么叫本征激发？温度越高,本征激发的载流子越多,为什么？试定性说明之；1-2，试定性说明 Ge，Si 的禁带宽度具有负温度系数的缘由；1-3，试指出空穴的主要特点；1-4，简述 Ge，Si 与 GaAS 的能带结构的主要特点；1-5，某一维晶体的电子能带为E(k )E0 10.1cos(ka)0.3 sin( ka) 半导体物理习题及解答刘诺 第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1， 什么叫本征激发？温度越高 ,本征激发的载流子越多 ,为什么？试定性说明 之； 1-2， 试定性说明 Ge，Si 的禁带宽度具有负温度系数的缘由； 1-3， 试指出空穴的主要特点； 1-4，简述 Ge，Si 与 GaAS 的能带结构的主要特点； 1-5，某一维晶体的电子能带为 E(k ) E0 1 0.1cos(ka) 0.3 sin( ka) E0=3eV,晶格常数 a=5х10-11m；求 : 其中 （1） 能带宽度 ; （2） 能带底与能带顶的有效质量； 第一篇 题解 半导体中的电子状态 刘诺 编 1-1， 解:在肯定温度下 ,价带电子获得足够的能量 (≥ Eg)被激发到导带成为导电 电子的过程就就是本征激发；其结果就是在半导体中显现成对的电子 -空 穴对； 假如温度上升 ,就禁带宽度变窄 ,跃迁所需的能量变小 ,将会有更多的电子 被激发到导带中； 1-2， 解:电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带 ,即允带与禁带；温度 上升 ,就电子的共有化运动加剧 ,导致允带进一步分裂， 变宽 ;允带变宽 ,就导 致允带与允带之间的禁带相对变窄；反之 ,温度降低 ,将导致禁带变宽； 因此 ,Ge，Si 的禁带宽度具有负温度系数； 1-3， 解: 空穴就是未被电子占据的空量子态 ,被用来描述半满带中的大量电子 的集体运动状态 ,就是准粒子；主要特点如下 : A，荷正电 :+q; B，空穴浓度表示为 p(电子浓度表示为 n); C，EP=-En D，m P*=-m n*； 1-4 ， 解: （1） Ge， Si: 第 1 页，共 22 页 精品学习资料 名师归纳总结——欢迎下载 半导体物理习题及解答刘诺a)Eg (Si:0K) = 1 ，21eV;Eg (Ge:0K) = 1 ， 170eV;b)间接能隙结构c)禁带宽度 Eg 随温度增加而减小 ;（2） GaAs:a)Eg(300K)其次篇习题 -半导体中的杂质与缺陷能级刘诺编2-1，什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？2-2，什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特点 半导体物理习题及解答刘诺 a)Eg (Si:0K) = 1 ，21eV;Eg (Ge:0K) = 1 ， 170eV; b)间接能隙结构 c)禁带宽度 Eg 随温度增加而减小 ; （2） GaAs: a)Eg(300K) 其次篇 习题 -半导体中的杂质与缺陷能级 刘诺 编 2-1，什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2-2，什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特点？试举例说明之 ,并 用能带图表征出 n 型半导体； 2-3，什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特点？试举例说明之 ,并 用能带图表征出 p 型半导体； 2-4，掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电 性能的影响； 2-5，两性杂质与其它杂质有何异同？ 2-6，深能级杂质与浅能级杂质对半导体有何影响？ 2-7，何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？ 其次篇 题解 半导体中的杂质与缺陷能级 刘诺 编 2-1，解 :浅能级杂质就是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质； 它们电离后将成为带正电 (电离施主 )或带负电 (电离受主 )的离子 ,并同时 向导带供应电子或向价带供应空穴； 2-2，解 :半导体中掺入施主杂质后 ,施主电离后将成为带正电离子 ,并同时向导带 供应电子 ,这种杂质就叫施主； 施主电离成为带正电离子 (中心 )的过程就叫施主电离； 施主电离前不带电 ,电离后带正电；例如 ,在 Si 中掺 P,P为Ⅴ族元素 , 本征半导体 Si 为Ⅳ族元素 ,P 掺入 Si 中后 ,P 的最外层电子有四个与 Si 的最外层四个电子配对成为共价电子 , 而 P 的第五个外层电子将受到热激发摆脱 原子实的束缚进入导带成为自由电子；这个过程就就是施主电离； n 型半导体的能带图如下列图 :其费米能级位于禁带上方 第 2 页，共 22 页 精品学习资料 名师归纳总结——欢迎下载 半导体物理习题及解答刘诺2-3，解 :半导体中掺入受主杂质后,受主电离后将成为带负电的离子,并同时向价带供应空穴 ,这种杂质就叫受主；受主电离成