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深硅刻蚀工艺原理 深硅刻蚀工艺原理 PAGE / NUMPAGES 深硅刻蚀工艺原理 硅蚀刻工艺在 MEMS 中的应用 文章本源：本站原创 点击数： 97 录入时间： 2006-4-7 减小字体 增大字体 Dave?Thomas?/?Trikon?Technologies，Newport ，Wales，United?Kingdom 本文介绍了在现代微机电系统（ MEMS；Micro?Electro-Mechanical?System ）制造过程中必不可以少的硅 蚀刻流程，谈论了蚀刻设备对于满足四种基本蚀刻流程的要求并做了比较，包括块体（ bulk）、精度（ pre cision）、绝缘体上硅芯片（ SOI；Silicon?On?Insulator）及高明宽比的蚀刻（ high?aspect?ratio?etching ）等。 并希望这些基本模块能衍生出可供应具备更高蚀刻率、更好的均匀度、更圆滑的蚀刻侧壁及更高的高明宽 比的蚀刻能力等蚀刻设备，以满足微机电系统的将来发展需求。 微机电系统是在芯片上集成运动件，如悬臂（ cantilever ）、薄膜（ membrane ）、传感器（ sensor）、反射 镜（ mirror ）、齿轮（ gear）、马达（ motor ）、共振器（ resonator ）、阀门（ valve）和泵（ pump ）等。这 些组件都是用微加工技术（ micromachining ）制造的。由于硅资料的机械性及电性众所周知，以及它在主流 IC 制造上的宽泛应用，使其成为微加工技术的首要选择资料。在制造各式各样的坑、洞、齿状等几何形状 的方法中，湿式蚀刻拥有快速及低成本的优势。但是，它所拥有对硅资料各方向均以相同蚀刻速率进行的 等向性（isotropic ）蚀刻特点、 或许是与硅资料的晶体构造存在的差异性、 产生不相同蚀刻速率的非等向性 （a nisotropic ）等蚀刻特点， 会限制我们在工艺中对应用制造的特定要求， 比方喷墨打印机的细微喷嘴制造 （非 等向性蚀刻特点总会造成 V 形沟槽，或具锥状（ tapered?walls ）的坑洞，使要点尺寸不易控制 ?）。而干式 蚀刻正可战胜这个应用限制，依照标准光刻线法（ photolithographic ）的光罩所定义的几何图案，此类干式 蚀刻工艺可获得拥有垂直侧壁的几何图案。举例来说，平时要蚀刻定义出较大尺寸的组件，如电容式加速 微传感器（ capacitive?accelerometers ）。平时我们会优先考虑湿式蚀刻方式，但对于需要更精确尺寸控制、 或是整体尺寸需微缩的组件的制造，则会考虑选择采用干式蚀刻来达到工艺要求。 硅蚀刻 宽泛应用的硅蚀刻方法，是起源于德国 Robert?Bosch 公司开发的非等向性硅蚀刻工艺方法，被称为Bosch 气体交替技术（ Bosch?gas-switching?technique） [1] 。利用拥有非等向性蚀刻反应的等离子源，与经过反应 形成高分子蔽覆层（ polymeric?passivation?layer ）的另一种等离子源，两者屡次交替进行的方法，以达到硅 蚀刻的工艺要求。常用的在硅蚀刻生产过程中的气体选择，多是采用 SF6（六氟化硫），因其可在能量只 有 20eV 的条件下即可分解出 6 个氟原子，而这些氟原子会连续与 Si 反应形成挥发性 SiF4（四氟化硅）。 理论上，已定义几何图案的 6 寸硅晶圆据有了大体 15%的裸片面积，设定等离子反应室内压力 30mtorr 、S F6 流量 400sccm、及千瓦等级的射频（ RF）能量等操作条件下，蚀刻率可达 20 微米 / 分。 为达成高速率的高分子聚积反应， 在等离子反应产生的气体内 F 元素与 C 元素的比率需小于或等于 2:1（即 F:C≤ 2:1）。因此 CHF3（三氟甲烷）与 C3F8（全氟丙烷）不适用，而以 C4F8（八氟环丁烷）较合适（ C4F8 也是常用在等离子蚀刻氧化反应的增加气体）。由于此高分子聚积反应，供应一种可调整侧壁蔽覆层（ sid ewall?passivation?layer ）的生成，同时可提高对罩幕资料（如光阻或二氧化硅等）的选择比的方法。当 C4 F8 及 SF6气体混杂时，气体交替分层是必不可以少的，在室温条件下，简单产生一种圆齿状但又非等向性蚀 刻的侧壁轮廓收效。在整个反应结束后，只要加入 O2 等离子，即可轻易去除聚积的高分子蔽覆膜。 对于电容式射频耦合技术，此应用于在高压气体操作的传统反应式离子蚀刻（ RIE；reactive?ion?etching ）， 在没有特别高的偏压下，是无法供应足够的射频功率以分解气体分子。相反，在高压气体条件下，当气体 扩散较慢以致在局部范围内发生能量耦合（