2021年5G驱动射频和物联网芯片行业市场发展现状分析.docxVIP

5G驱动射频和物联网芯片行业市场发展现状分析 ??一、5G驱动射频和物联网芯片量价齐升,泛射频迎来市场机遇 ??5G商用已至,泛射频迎来市场机遇. ??射频前端是通信设备关键底层技术,在联网设备大规模增长趋势下,射频前端是成长最快最确定方向之一. ??对于智能手机等通信终端设备,位于天线和射频收发器之间的所有组件统称为射频前端.射频前端是通信设备的核心,具有收发射频信号的重要作用,并决定了通信质量、信号功率、信号带宽、网络连接速度等诸多通信指标.以智能手机为代表,其蜂窝、蓝牙、Wi-Fi、GPS、NFC等射频前端模块使得文字／语音／视频通信、上网、高清音视频、定位、文件传输、刷卡等应用得以实现. ??射频前端可按形态分为分立器件和射频模组,也可按功能分为不同功能组件. ??按功能不同,分立器件可分为滤波器、功率放大器(PA)、射频开关、天线调谐、低噪放(LNA)、包络芯片等.其中滤波器负责发射及接收信号的滤波；PA负责发射路径的射频信号放大；射频开关负责接收、发射路径之间的切换；天线调谐用于匹配阻抗以提升传输功率；LNA用于接收路径中的小信号放大；包络芯片用于控制电压以最小化功耗.按集成度不同射频模组可以分为低、中、高集成度模组,如高度模组包括PAMiD、LNADivFEM等. 简化的射频前端示意图 主要射频前端芯片功能与工艺 Component 元器件 工艺 功能 - - Filter 滤波器 SAW、BAW、FBAR、IPD、SMD、LTCC 对发射/接收的射频信号滤波，通常用作双工器或双工器组成单元，用来组合或分离多个频带 - - PA 功率放大器 CMOS、GaAsHBT/GaN 将低功率射频信号转换为高功率射频信号 RFSwitch 射频开关 GaAspHEMT、SOI、MEMS 选择天线和哪个发射/接收器或收发器连通 AntennaTuner 天线调谐 MEMS、BST 由开关构成，连接天线和收发器，匹配阻抗以提升传输功率 LNA 低噪放 SOI、GaAs 保证信噪比的前提下对小功率信号进行放大 ET 包络芯片 GaN、CMOS 通过控制电压以最小化功耗的技术 主要射频模组功能与集成度 Module 模组 集成度 功能或集成方式 ASM 天线开关模组 低度 集成天线和开关 FEM 前端模组 低度 集成开关和滤波器 DivFEM 分集前端模组 中度 集成FEM的分集模组 FEMiD 双工前端模组 中度 集成双工的前端模组 PAiD PA和双工模组 中度 集成PA和双工 SMMBPA 单模多频功放 中度 支持单模式多频带的PA模组（3G/4G） MMMBPA 多模多频功放 中度 支持多模式多频带的PA模组（3G/4G） RXModule 射频发射器 中度 调制加载数据，并发射无线电波 TXModule 射频接收器 中度 集成PA、开关的发射模组，接收调制信号并解调 PAMiD PAMiD前端模组 高度 集成MMMBPA和FEMiD LNADivFEM LNA分集前端模组 高度 集成DivFEM和LNA ??典型智能机包含6到数十个射频模组或器件,但由于模组内集成有大量器件,实际单机器件数可能多达50-100多个.目前中高端智能手机射频前端ASP在14-28美元,滤波器、PA、射频开关合占射频前端单机价值9成.随着MIMO升级和5G射频前端重构,频带拥挤对前端线性度要求的提高,以及高功率对功耗要求的提高,天线调谐、LNA、包络芯片的需求也迎来增长. 典型中高端智能手机射频前端所需的器件数量和单机价值 射频前端器件 单机数量 单机价值（美元） 平均价值占比 滤波器 40-100 7月14日 50% PA 2月5日 3月7日 25% 射频开关 2月8日 2月4日 15% 天线调谐 2月4日 1月2日 7% LNA 2月6日 0.4-0.8 2% 包络芯片 0-1 0.2-0.5 1% 合计 48-124 14-28 100% ??数据需求爆发、通信技术升级、终端设计创新等因素正推动射频前端需求和价值的快速提升.根据IHS无线半导体竞争报告数据,过去7年手机射频前端市场已从2010年的43亿美元增长到2017年的134亿美元,复合年均增长超过17.7%,增速是整个半导体市场的5倍.根据YOLE数据,2017年手机射频前端市场为160亿美元,预计到2023年增长到352亿美元,未来6年复合增长率达14%,仍是半导体行业增长最快的子市场. 射频前端细分市场预测及其驱动因素（亿美元） 前端器件 2017 2023 CAGR 驱动因素 滤波器 80 225 19% 滤波器是射频前端最大且增长最快的子市场，其增长主要来自四个方面：（1）5G超高频推动高端BAW滤波器渗透率提升，（2）Wi-Fi分集天线隔离频带对共存滤波器的需求，（