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主要内容;IC中的薄膜;外延Si 介质膜：场氧化、栅氧化膜、USG、BPSG、PSG、层间介质膜、钝化膜、high k、low k、浅槽隔离…… 金属膜：Al、Ti 、Cu、Wu、Ta…… 多晶硅 金属硅化物 ;作为MOS器件的绝缘栅介质 ;;半导体应用;薄膜材料及性能的要求;各种成膜技术及材料;物理气相沉积PVD——蒸发法;1852年第1次发现溅射现象 溅射的台阶覆盖比蒸发好 辐射缺陷远少于电子束蒸发 制作复合膜和合金时性能更好 是目前金属膜沉积的主要方法;优点：;化学气相沉积CVD;;TiN;硅膜 外延硅、多晶硅、非晶硅 介质膜 氧???硅 氮化硅 氮氧化硅 磷硅玻璃PSG、BPSG 金属膜 W、Cu、Ti、TiN;CVD制备的薄膜及采用的前驱体;最早的CVD工艺、反应器设计简单 APCVD发生在质量输运限制区域 允许高的淀积速度, 1000A／min，一般用于厚膜沉积 APCVD的主要缺点是颗粒的形成;产量高、均匀性好，可用于大尺寸硅片 主要用于沉积SiO2和掺杂的SiO2 气体消耗高，需要经常清洁反应腔 沉积膜通常台阶覆盖能力差。 ;;化学气相沉积——LP-CVD;SiO2：做层间介质、浅槽隔离的填充物和侧墙 氮化硅：做钝化保护层或掩膜材料 多晶硅：做栅电极或电阻 氧化氮化硅：兼有氧化硅和氮化硅的优点，改善了热稳定性、抗断裂能力、降低膜应力 ;更低的工艺温度（250~450℃） 对高的深宽比间隙有好的填充能力 优良的粘附能力 高的淀积速率 少的针孔和空洞，高的膜密度 主要用于淀积绝缘层， RF频率通常低于1MHz;沉积金属互连间的绝缘层SiO2：硅烷＋氧化剂 沉积金属W：WF6 + 3H2 = W + 6HF 沉积铜阻挡层TiN：6TiCl4+8NH3—6TiN+24HCl;2. 光刻技术;通过光刻技术进行图形转移的基本过程;2. 光刻技术;2. 光刻技术;掩膜版的费用呈指数式增长Mask 自1995年开始成为关键技术，可以实现亚波长光刻，如248nm的光源用于130nm技术;1973 : 投影光刻机（1X)，分辨率 4 μm 波长320-440 nm. 1976 ：采用G线的10倍缩小步进机. 1980s：G线向I线转变（注：G、I对应高压汞灯的不同特征谱线，G线436nm、I线365nm ） 1995：深紫外应用于0.25μm技术，并延续了4代技术 现在：193nm, 157nm ，EUV;曝光光源与其解像度大致有如下关系;图形转移——光刻工艺的8个基本步骤;;将光刻胶均匀地涂敷在硅片表面 膜厚符合设计要求（～1?m)，膜厚均匀(2~5nm)，胶面上看不到干涉花纹； 胶层内无点缺陷（针孔等）； 涂层表面无尘埃，碎屑等； 膜厚：T?1/?1/2, ?为转速，转/分钟。;;;;;;;;;;;;边圈：光刻胶在硅片边缘和背面的隆起 干燥时，边圈将剥落，产生颗粒 旋转涂胶器配置了边圈去除装置（EBR） 在旋转的硅片底部喷出少量溶剂 丙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐，或乙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐;;;;;Gate Mask;;;;负胶：未曝光区域溶解 图形和掩膜版相反 几乎不需要化学反应，显影液为有机溶剂 清洗去除显影液：丁基醋酸盐、乙醇 问题：交联光刻胶在显影和清洗过程中吸收显影液而膨胀变形，是负胶不能用于2微米以下光刻的主要原因;正胶：曝光区域溶解 图形和掩膜版相同 显影液和光刻胶之间有化学反应 显影液：稀释的NaOH、KOH、四甲基氢氧化铵0.2-0.3g/l 0.26当量浓度成为显影标准工艺;;; 刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。 有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀。选择性地刻蚀掉未被保护的区域 图形从光刻胶转移到晶圆上 干法和湿法;刻蚀工艺 干法刻蚀 湿法刻蚀：应用 化学机械抛光 去除光刻胶 质量检测;;在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。 完整地把掩膜图形复制到硅片表面上 采用等离子体： 中性、高能量、离子化的气体 包含中性原子或分子、带电离子、自由电子、分离的原子或分子（基）;干法刻蚀的优点;深反应离子刻蚀DRIE的应用;刻蚀多晶硅形成栅极;;;;刻蚀技术的应用——化学机械抛光CMP;金属化？ 器件之间以及器件与外部之间的连接 互连 局域互连：栅极互连，多晶硅，硅化物 层间互连：W塞plugs，通孔Vias等 封装级别互连：长程互连Cu、Al、mm量级 ;CMOS中的金属化;铜互连;多层互连：层间介质层隔离去除后的形貌;为什么要多层互连;金属化的要求;Al互连;铝钉现象;电迁移; 电迁移使导线断路或短路，从而引起IC失效。具体表现为： — 在互连引线中形成空洞，增加了电阻 — 空洞长大，最终贯