《电子技术基础数字部分》（第六版） ch03-2.pptVIP

3.2 基本CMOS逻辑门电路;CMOS门电路是以MOS管为开关器件。;1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理;1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理;1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理;2. N沟道增强型MOS管的输出特性和转移特性;3. 其他类型的MOS管;(2) N沟道耗尽型MOS管;4. MOS管开关电路;MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。;由于MOS管栅极、漏极与衬底间电容，栅极与漏极之间的电容存在，电路在状态转换之间有电容充、放电过程。 输出波形上升沿、下降沿变得缓慢。; CMOS 反相器; 第一，vI是高电平还是低电平 ，TN和TP中总是一个导通而另一个截止。CMOS反相器的静态功耗几乎为零。 第二，MOS管导通电阻低，截止电阻高。使充、放电时间常数小，开关速度更快，具有更强的带负载能力。 第三，MOS管的，IG≈0，输入电阻高。 理论上可以带任意同类门，但负载门输入杂散电容会影响开关速度。 ;2. 电压传输特性和电流传输特性;(Transfer characteristic );反相器的工作速度;A B;或非门;例：分析CMOS电路，说明其逻辑功能。;3.2.4 CMOS传输门(双向模拟开关) ;1、传输门的结构及工作原理 ;C;(1) 传输门组成的异或门;(2) 传输门组成的数据选择器