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, 则半导体
, 则半导体
射半导体光催化剂时,如果光子的能量高于半导体的禁带宽度
光催化氧化技术及其在水处理中的应用
摘要:介绍了光催化氧化的机理及光催化氧化反应的主要影响因素, 就TiO2
固定化制备、改性、光催化氧化在工业废水以及饮用水处理中的应用进行了阐述。
关键词: 光催化氧化 Ti0 2 光催化剂 水处理
引言
光催化氧化法是近二十年才出现的水处理技术, 1972年, Fu— jishima 和Honda报道了在光电池中光辐射 Ti02 可持续发生水的氧化还原反应,标志着光催化氧化水处理时代的开始。 1976年, Carey等在光催化降解水中
污染物方面进行了开拓性的工作。 光催化技术具有反应条件温和、 能耗低、
[1]操作简便、能矿化绝大多数有机物、可减少二次污染及可以用太阳光作为反应光源等突出优点 ,在难降解有机物、水体微污染等处理中具有其他传统水处理工艺所无法比拟的优势,是一种极具发展前途的水处理技术, 对太阳能的利用和环境保护有着重大意义。
[1]
光催化氧化原理
光催化氧化还原以 n型半导体为催化剂,如 TiO、ZnO、FeO、SnO、WO等。 TiO由于化学性质和光化学性质均十分稳定,且无毒价廉,货源充分,所
以光催化氧化还原去除污染物通常以 TiO作为光催化剂。光催化剂氧化还
原机理主要是催化剂受光照射,吸收光能,发生电子跃迁,生成“电子— 空穴”对,对吸附于表面的污染物,直接进行氧化还原,或氧化表面吸附
的羟基 OH,生成强氧化性的羟基自由基( OH)将污染物氧化 [2] 。当用光照
有
有3种晶型,锐钛矿型、金红石型和板钛矿型,仅锐钛矿型和金红石型具
[3]的价带电子从价带跃迁到导带,产生光致电子和空穴。水溶液中的 OH、水分子及有机物均可以充当光致空穴的俘获剂,具体的反应机理 如下(以TiO为例):
[3]
TiO+ h ν → h+ eh+ e →热量
HO →OH+ H h+ OH→ OH
h+ HO + O→· OH + H+ O h+ HO →· OH + H
e+ O→ O
O+ H+ →HO·
HO·→ O+ HO HO+ O→ OH + OH+ O
HO+ hν → 2 OH
Mn(金属离子 ) + ne → M
光催化氧化反应的主要影响因素
催化剂性质及用量
可用于光催化氧化的催化剂大多是金属氧化物或硫化物等半导体材料,如 TiO2、ZnO、CeO2 、
CdS、ZnS等. 在众多光催化剂中, Ti0 2是目前公认的最有效的半导体催化剂, 其特点有:化学性质稳定,能有效吸收太阳光谱中弱紫外辐射部分,氧化
还原性极强,耐酸碱和光化学腐蚀,价廉无毒,本文主要介绍 TiO2。TiO2
[5]有关。以 TiO
[5]
有关。以 TiO2降解苯酚为例
, TiO2颗粒表面电荷随介质
pH值不同而改变。
有光催化活性,其中锐钛矿型 TiO2催化活性比金红石型 TiO2 好,但是两种晶型混合后的光催化材料活性会更好,原因是锐钛矿型 TiO 2导带上的光生电子会跃迁到较不活跃的金红石型 TiO2上,抑制锐钛矿型 TiO2的光生 e- / h+的复合。
光催化材料的粒径对催化活性影响也比较大,一般半导体的粒径越小,
比表面积越大,越会产生量子尺寸效应和小尺寸效应使阈能提高,导致带隙变宽,提高 e- / h+的氧化 - 还原能力,但复合机会也随之增多,出现光催化活性随量子化增加而下降的现象。因此,可能存在最佳的光催化活性粒径范围。在光催化反应中,催化剂的投加量较少时,紫外光吸收率低,
有效光子不能完全转化为化学能,产生的· OH也较少。适当增加催化剂的
[4]用量会产生更多的 e- / h+,增强光催化降解作用。 但是催化剂用量过多时, 由于· OH产生的速度过快, e- / h+发生自身复合反应,氧化能力反而会降低。同时,催化剂过量会造成光的散射,影响透光率 ,进而影响催化效果。
[4]
pH 值
pH值影响半导体的能级结构、表面特性和吸附平衡,对光催化降解反
应有很大的影响。高 pH值有利于 OH-生成· OH,低 pH值有利于 H: O分子生成· OH,所以在整个 pH值范围内都有生成· OH的反应,光催化氧化反应都是热力学可行的。溶液的 pH值对光催化氧化反应的影响还与有机污染物的 种类有关,多数有机物在高酸度或者高碱度时会有较大的降解率,而接近
中性时降解率较小,这与有机物的光催化反应机理及废水成分的具体特性
量的H
量的H2O2也可能成为· OH消除剂, 虽然此时也会有过氧化羟基自由基
(HO2 ·)
溶液pH值较低时, TiO2表面带正电荷,有利于阴离子物质的吸附,苯酚在 TiO2 表面的吸附增加;溶液 pH值较高时, TiO2颗粒表面呈负电性,虽然苯 酚不易在 TiO
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